当前分类： 半导体芯片制造工
问题：光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）...
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问题：有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？...
问题：简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？...
问题：离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？...
问题：哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。...
问题：光刻和刻蚀的目的是什么？...
问题：半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素（）、（）半导体、固溶半导体三大类。...
问题：厚膜元件烧结时，浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能（），从而使系统转变为热力学中更稳定的状态。A、降低B、升高C、保持不变...
问题：低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便，但膜不够致密，耐潮性和抗离子沾污能力较差。（）...
问题：什么是阻挡层金属？阻挡层材料的基本特征是什么？哪种金属常被用作阻挡层金属？...
问题：晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。（）...
问题：对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版图结构？简述原因。...
问题：衬底清洗过程包括哪几个步骤？...
问题：解释水的去离子化。在什么电阻率级别下水被认为已经去离子化？...
问题：给出半导体质量测量的定义。例出在集成电路制造中12种不同的质量测量。...
问题：例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。...
问题：例举并解释5个进行在线参数测试的理由。...
问题：人们规定：（）电压为安全电压.A、36伏以下B、50伏以下C、24伏以下...
问题：禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受...
问题：离子源是产生离子的装置。（）...
