什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？
题目
什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？
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第1题：
采用超声横波探伤时，为避免纵波的干扰，探头的入射角应在大于第一临界角（）第二临界角之间选择。
正确答案:小于 -
第2题：
对沟道效应，沿着主晶轴方向入射时，角分布半宽度的典型值为多少。
正确答案:零点几度到几度之间。 -
第3题：
采用超声横波探伤时，为避免纵波的干扰，探头的入射角应在大于第一临界角（）临界角之间选择。
正确答案:小于 -
第4题：
问答题简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？正确答案： 对晶体进行离子注入时，当离子注入的方向与与晶体的某个晶向平行时，一些离子将沿沟道运动，受到的核阻止作用很小，而且沟道中的电子密度很低。受到的电子阻止也很小，这些离子的能量损损失率很低，注入深度就会大于无定形衬底中深度，这种现象称为沟道效应。
沟道效应的存在，使得离子注入的浓度很难精确控制，因为它会使离子注入的分布产生一个很厂的拖尾，偏离预计的高斯分布规律。
沟道效应降低的技巧：
（1）、覆盖一层非晶体的表面层、将硅晶片转向或在硅晶片表面制造一个损伤的表层。
（2）、将硅晶片偏离主平面5-10度，也能有防止离子进入沟道的效果。
（3）、先注入大量硅或锗原子以破坏硅晶片表面，可在硅晶片表面产生一个随机层。解析： 暂无解析 -
第5题：
问答题当今大学生逃课的原因是什么？怎样避免该现象的发生？有效途径是什么？正确答案： 逃课原因：
个人：
（1）学生轻视学习，自律不够，放任自流。还有些跟课程的重要性有关，必修课逃课现象较少，选修课居多。
（2）有的学生沉溺与电脑游戏，或者兼职等活动。
（3）从众心理，盲目效仿逃课同学。
教学：
（1）教学方式与讲课内容陈旧，照本宣科；考试内容照搬书本，让学生感觉不到上课的收获价值。
（2）学校监管不到位，某些课程上课考勤与成绩关系不大。
措施：改变课程设置，教师授课方式，提高课程的实用性与吸引力。
辅导员：
（1）严格管理：大学生生活在“他制”的环境下，自制能力较差，严格管理是完全必要的。应将逃课相关的规章制度落实到实处，严格按照制度办事，使规章制度在学生心目中真正具有威慑力，以维护制度的严肃性和权威性。
（2）发挥学生干部和学生党员的帮、带作用：充分发挥学生党员、干部作用，约束、监督、帮带逃课学生，感染和影响学生向先进看齐，构造师生间的桥梁和纽带，营造浓厚的集体学生氛围。
（3）家校联动，强化育人成效：建立家校联动机制，加强与家长沟通与联系，要求家长配合学校做好逃课学生工作。解析： 暂无解析 -
第6题：
问答题什么是沟道效应？抑制方法？正确答案： 1）沟道效应：衬底为单晶材料，离子束准确的沿着晶格方向注入，几乎不会受到原子核的散射，其纵向分布峰值与高斯分布不同。一部分离子穿过较大距离。
2）抑制方法：
○1硅片偏转一定角度注入
○2使用质量较大的原子注入
○3大剂量注入（形成非晶层）
○4隔介质膜注入解析： 暂无解析 -
第7题：
问答题什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？正确答案： 沟道效应：单晶硅原子为长程有序排列，当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时，就发生了沟道效应，使预期的设计范围（如掺杂深度和浓度）大大扩展。
方法：
1、倾斜硅片；
2、掩蔽氧化层；
3、预非晶化。解析： 暂无解析 -
第8题：
填空题（）称为沟道效应，可以用（）、（）和（）来避免。其中，（）是最常用的方法。正确答案： 沿晶体沟道注入离子的射程远大于随机方向注入离子射程的现象,硅片相对注入束偏转5-7°的注入角,表面生长氧化层,硅注入表面预非晶化,硅片偏转5-7°的注入角解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题什么是沟道效应？正确答案： 对晶体靶进行离子注入时，当离子注入的方向与靶晶体的某个晶向平行时，其运动轨迹将不再是无规则的，而是将沿沟道运动并且很少受到原子核的碰撞，因此来自靶原子的阻止作用要小得多，而且沟道中的电子密度很低，受到的电子阻止也很小，这些离子的能量损失率就很低。在其他条件相同的情况下，很难控制注入离子的浓度分布，注入深度大于在无定形靶中的深度并使注入离子的分布产生一个很长的拖尾，注入纵向分布峰值与高斯分布不同，这种现象称为离子注入的沟道效应。解析： 暂无解析 -
第10题：
单选题离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有（）。A电活性
B晶格损伤
C横向效应
D沟道效应
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第11题：
名词解释题离子注入的沟道效应正确答案： 当离子沿晶轴方向入射时，大部分离子将沿沟道运动，不会受到原子核的散射，方向基本不变，可以走得很远。解析： 暂无解析 -
第12题：
填空题阈电压V的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，V变（）。正确答案： 减小解析： 暂无解析 -
第13题：
光线发生全反射的条件是入射角（）临界角，而临界角由（）确定。
正确答案:大于或等于，n1、n2 -
第14题：
当今大学生逃课的原因是什么？怎样避免该现象的发生？有效途径是什么？
正确答案: 逃课原因：
个人：
（1）学生轻视学习，自律不够，放任自流。还有些跟课程的重要性有关，必修课逃课现象较少，选修课居多。
（2）有的学生沉溺与电脑游戏，或者兼职等活动。
（3）从众心理，盲目效仿逃课同学。
教学：
（1）教学方式与讲课内容陈旧，照本宣科；考试内容照搬书本，让学生感觉不到上课的收获价值。
（2）学校监管不到位，某些课程上课考勤与成绩关系不大。
措施：改变课程设置，教师授课方式，提高课程的实用性与吸引力。
辅导员：
（1）严格管理：大学生生活在“他制”的环境下，自制能力较差，严格管理是完全必要的。应将逃课相关的规章制度落实到实处，严格按照制度办事，使规章制度在学生心目中真正具有威慑力，以维护制度的严肃性和权威性。
（2）发挥学生干部和学生党员的帮、带作用：充分发挥学生党员、干部作用，约束、监督、帮带逃课学生，感染和影响学生向先进看齐，构造师生间的桥梁和纽带，营造浓厚的集体学生氛围。
（3）家校联动，强化育人成效：建立家校联动机制，加强与家长沟通与联系，要求家长配合学校做好逃课学生工作。 -
第15题：
什么是自由回转临界角？
正确答案: 当物体的重力作用线通过与物体轴线垂直的支承轴心时，物体可向两个方向自由回转，这时物体轴线和水平面的夹角称自由回转临界角。 -
第16题：
问答题什么是离子注入损伤？正确答案： 离子注入损伤，是指获得很大动能的离子直接进入半导体中造成的一些晶格缺陷。解析： 暂无解析 -
第17题：
问答题描述沟道效应。列举并简要解释控制沟道效应的三种机制。正确答案： 当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时，就发生了沟道效应。
三种机制：
1.倾斜硅片：它把硅片相对于离子束运动方向倾斜一个角度，保证了杂质离子进入硅中很短距离内就会发生碰撞。
2.掩蔽氧化层：注入前在硅片表面生长或淀积一薄层氧化层，并在注入之后去除。注入离子通过这样一层非晶氧化层后进入硅片，它们的方向将是随机的，因此可以减小沟道效应。
3.预非晶化：用电不活泼粒子，使单晶硅预非晶化，在注入前进行，用以损坏硅表面一薄层的单晶结构。随后的离子将注入非晶结构的硅，产生很小的沟道效应。解析： 暂无解析 -
第18题：
问答题什么是短沟道效应？有哪些设计和工艺措施可以降低短沟道效应？正确答案： 短沟道效应主要是指阈值电压与沟道相关到非常严重的程度，或者沟道长度减小到一定程度后出现的一系列二级物理效应统称为短沟道效应。对单晶材料的轴沟道和面沟道，由于散射截面小，注入离子可以获得很深的穿透深度，称为沟道效应。
方法：离子束在注入硅片时必须偏离沟道方向约7°。通常，这种偏转是用倾斜硅片来实现。除了转动靶片，还可以用事先生长氧化层或用Si、F等离子预非晶化的方法来消除沟道效应。对大直径Si片，还用增大倾斜角的方法来保证中心和边缘都能满足大于临界角。解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题如何降低沟道效应？正确答案： 减少沟道效应的措施：
（1）对大的离子，沿沟道轴向（110）偏离7－10o；
（2）用Si，Ge，F，Ar等离子注入使表面预非晶化，形成非晶层
（3）增加注入剂量；
（4）表面用SiO2层掩膜。解析： 暂无解析 -
第20题：
名词解释题沟道效应正确答案： 离子沿沟道前进，核阻挡作用小，因而射程比非晶靶远得多，这种现象叫沟道效应。解析： 暂无解析 -
第21题：
名词解释题短沟道效应（Short Channel Effect）正确答案： 短沟道效应主要是指阈值电压与沟道相关到非常严重的程度。源-漏两极的p-n结将参与对位于栅极下的硅的耗尽作用，同栅极争夺对该区电荷的控制。栅长Lg越短，被源-漏两极控制的这部分电荷所占的份额比越大，直接造成域值电压Vt随栅长的变化。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？正确答案： 短沟道效应是指：当MOS晶体管的沟道长度变短到可以与源漏的耗尽层宽度相比拟时，发生短沟道效应，栅下耗尽区电荷不再完全受栅控制，其中有一部分受源、漏控制，产生耗尽区电荷共享，并且随着沟道长度的减小，受栅控制的耗尽区电荷不断减少的现象。
影响：由于受栅控制的耗尽区电荷不断减少，只需要较少的栅电荷就可以达到反型，使阈值电压降低；沟道变短使得器件很容易发生载流子速度饱和效应。解析： 暂无解析 -
第23题：
填空题为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。正确答案： 增大,减小,增大,增大解析： 暂无解析