当前分类： 半导体芯片制造工
问题：化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。...
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问题：什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应？如何解决？...
问题：解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？...
问题：简述几种常用的氧化方法及其特点。...
问题：引线焊接有哪些质量要求？...
问题：离子源是产生离子的装置。（）...
问题：描述曝光波长和图像分辨率之间的关系。...
问题：例举在线参数测试的4个主要子系统。...
问题：集成电路封装有哪些作用？...
问题：液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。（）...
问题：抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。（）...
问题：pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。A、扩散层质量B、设计C、光刻...
问题：什么是结深？...
问题：离子注入后为什么要进行退火？...
问题：粘封工艺中，常用的材料有哪几类？...
问题：厚膜浆料属于牛顿流体，因此其粘度属于正常黏度。（）...
问题：解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？...
问题：抛光片的质量检测项目包括：几何参数，直径、（）、主参考面、副参考面、平整度、弯曲度等；（），电阻率，载流子浓度，迁移率等；晶体质量，晶向，位错密度。...
问题：位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。（）...
问题：假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。...
