位错就是由范性形变造成的,它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离,位移区与非位移区交界处必有原子的错位,这样产生线缺陷称为位错。()
第1题:
位错的形成原因是()。
第2题:
所谓线缺陷,就是在晶体的某一平面上,沿着某一方向伸展的线状分布的缺陷。()就是一种典型的线缺陷。
第3题:
晶体中某处有一列或若干列原子发生有规律的错排现象,叫()。
第4题:
实际晶体的线缺陷表现为()
第5题:
在晶体缺陷中,属于点缺陷的有()
第6题:
对
错
第7题:
Ⅰ+Ⅴ
Ⅰ+Ⅱ+Ⅲ+Ⅳ
Ⅰ+Ⅲ+Ⅳ
Ⅱ+Ⅲ+Ⅳ
第8题:
间隙原子
位错
晶界
缩孔
第9题:
空位、线缺陷和晶界
置换原子、位错和亚晶界
点缺陷、线缺陷和面缺陷
理想晶体
第10题:
空位
位错
晶界
间隙原子
第11题:
点缺陷
面缺陷
位错
亚晶界
第12题:
间隙原子
位错,位移
晶界,亚晶界
缩孔,缩松
第13题:
在品体的缺陷中,有线缺陷和面缺陷,其中线缺陷有()
第14题:
在物质内部,凡是原子呈有序排列状况的称为()。
第15题:
亚晶界是由()。
第16题:
下述晶体缺陷中属于线缺陷的是()
第17题:
晶体中的面缺陷主要是指()
第18题:
堆垛层错
孪晶界
位错
间隙原子
第19题:
低于
高于
等于
不确定
第20题:
间隙原子
位错
晶界
第21题:
晶界
位错
空位和间隙原子
亚晶界
第22题:
Ⅰ+Ⅴ
Ⅰ+Ⅱ+Ⅲ+Ⅳ
Ⅰ+Ⅲ+Ⅳ
Ⅱ
第23题:
对
错