光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。

题目

光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。

相似考题

1.照相制版主要的工艺过程包括:()A.原图B.照相C.涂覆D.曝光E.显影F.固膜G.腐蚀

2.对发现的各类违章，都要按教育、曝光、处罚、整改四个步骤进行处理。

3.什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？

4.冲版烘干后再行曝光是（）A、使图纹更为清晰B、不可多于标准时间C、坚膜D、必然步骤

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  • 第1题：

    光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）

    • A、刻制图形
    • B、绘制图形
    • C、制作图形

    正确答案:A

  • 第2题：

    光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。

    • A、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
    • B、涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
    • C、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
    • D、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶

    正确答案:C

  • 第3题：

    光刻加工的工艺过程为（）

    • A、①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗
    • B、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散
    • C、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原

    正确答案:B

  • 第4题：

    凉菜单碟装盘时一般都要经过（）的步骤。

    • A、垫底
    • B、盖边
    • C、装刀面
    • D、装饰

    正确答案:A,B,C

  • 第5题：

    定影液有两个作用，溶解未曝光的AgBr和坚膜作用。


    正确答案:正确

  • 第6题：

    填空题
    常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。

    正确答案： 涂胶,前烘,曝光,显影,坚膜,腐蚀,去胶
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    问答题
    光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？

    正确答案： 光刻的工艺流程共分7步：（1）涂胶，（2）前烘，（3）曝光，（4）显影，（5）坚膜（6）刻蚀，（7）去胶。分辨率是指线条和间隔清晰可辨时每mm中的线对数。从物理的角度看，限制分辨率的因素是衍射。最长用的曝光光源是紫外光。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    光刻工艺分为哪些步骤？

    正确答案： 1、底膜处理
    2、涂胶
    3、前烘
    4、曝光
    5、显影
    6、坚膜
    7、刻蚀去胶
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    列出光刻工艺的十个步骤，并简述每一步的目的。

    正确答案： ①表面准备：清洁和干燥晶圆表面
    ②涂光刻胶：在晶圆表面均匀涂抹一薄层光刻胶
    ③软烘培：加热，部分蒸发光刻胶溶剂
    ④对准和曝光：掩膜版和图形在晶圆上精确对准和光刻胶的曝光，负胶是聚合物
    ⑤显影：非聚合光刻胶的去除
    ⑥硬烘培：对溶剂的继续蒸发
    ⑦显影目捡：检查表面的对准情况和缺陷情况
    ⑧刻蚀：将晶圆顶层通过光刻胶的开口去除
    ⑨光刻胶的去除：将晶圆上的光刻胶层去除
    ⑩最终目检：表面检查以发现刻蚀的不规则和其他问题
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    不论正胶或负胶，光刻过程中都包括如下步骤： 1.刻蚀 2.前烘 3..显影 4.去胶 5.涂胶 6.曝光 7.坚膜 以下选项排列正确的是：（）。
    A

    2561437

    B

    5263471

    C

    5263741

    D

    5263714。


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    光刻的图形曝光方式有：接触式曝光、接近式曝光和（）曝光。

    正确答案： 投影式
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    多选题
    以下属于光刻工艺的为：（）。
    A

    光刻胶涂覆

    B

    曝光

    C

    显影

    D

    腐蚀


    正确答案： C,B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）


    正确答案:错误

  • 第14题：

    试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。


    正确答案:在4次光刻中，第二次光刻有源岛和第三次光刻的源漏电极合为一次光刻，为4次光刻的第二次光刻，光刻次数减少，但工艺难度大大增大。
    第二次光刻的工艺流程概括为：连续沉积薄膜→涂胶→多段式调整掩膜版曝光→显影→湿法刻蚀→干法刻蚀及灰化→再湿刻和再干法刻蚀。

  • 第15题：

    涂层板、压花板或层压（贴膜）板，在机组工艺段预处理阶段，都要经过（）工序。


    正确答案:表面净化

  • 第16题：

    晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。

    • A、除去光刻胶中剩余的溶剂
    • B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
    • C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
    • D、有利于以后的去胶工序
    • E、减少光刻胶的缺陷

    正确答案:A,B,C,E

  • 第17题：

    填空题
    光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。

    正确答案： 光刻机的分辨率、光刻胶的种类、光刻胶的厚度、光刻胶的对比度,高,高
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    单选题
    光刻加工的工艺过程为：（）
    A

    ①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗

    B

    ①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散

    C

    ①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    问答题
    简述光刻工艺步骤。

    正确答案： 涂光刻胶，曝光，显影，腐蚀，去光刻胶。
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    判断题
    在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    简述光刻工艺的8个基本步骤。

    正确答案： ①气相成底膜；
    ②旋转涂胶；
    ③软烘；
    ④对准和曝光；
    ⑤曝光后烘培（PEB）；
    ⑥显影；
    ⑦坚膜烘培；
    ⑧显影检查。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    常见的光刻对准曝光设备有？

    正确答案： 接触式光刻机；接近式光刻机；扫描投影光刻机；分步重复投影光刻机；步进扫描光刻机。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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