在多晶硅电池片上用等离子体进行的化学（）生产氮化硅膜是历来常用的方法。

题目

在多晶硅电池片上用等离子体进行的化学（）生产氮化硅膜是历来常用的方法。

相似考题

1.目前,制备低温多晶硅常用的方法是什么?

2.介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。A、多晶硅B、氮化硅C、二氧化硅

3.在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。A、单晶硅刻蚀B、多晶硅刻蚀C、二氧化硅刻蚀D、氮化硅刻蚀

4.目前，实现商业化批量生产的、能量转化效率最高的光伏电池类型是（）。A、单晶硅太阳电池；B、多晶硅太阳电池；C、薄膜太阳电池；D、化合物电池。

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  • 第1题：

    多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

    • A、二氧化硅
    • B、氮化硅
    • C、单晶硅
    • D、多晶硅

    正确答案:A

  • 第2题：

    在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。

    • A、晶圆顶层的保护层
    • B、多层金属的介质层
    • C、多晶硅与金属之间的绝缘层
    • D、掺杂阻挡层
    • E、晶圆片上器件之间的隔离

    正确答案:B,C,E

  • 第3题：

    生产多晶硅带的方法主要有定边喂膜法、蹼状枝晶法、绳带法和模板生长法，其中产出率最高的方法为（）


    正确答案:模板生长法

  • 第4题：

    在多晶硅电池片上用等离子体进行的化学气相沉积法生产的氮化硅膜会产生哪两种效果？


    正确答案: 两种效应：首先使用等离子体对氢进行活化，然后对晶粒进行钝化。晶界产生的电子能级，在激发下生成载流子，不仅能使短路电流密度减少，而且为了收集载流子而将pn结在晶界横断时，介于能级之间。由于有漏电电流流过，是所谓的反向饱和电流密度变大，从而减少了开路电压。由于活性化的氢有可能侵入到基片深处，所以不仅表面，在基片内部粒界的容积也可以有效地进行钝化，结果：是氢的钝化不仅增加了实际的开路电压，能级密度也同时减少，可用电子自旋共鸣法在实验中得到确认。其次，氮化硅膜中所含的固定载流子会产生表面电位，而由于表面电位的变化，会引起实际的表面复合速度下降。用等离子CVD法叠层得到的膜，从化学键上看，其组成比中发生移动的情况是很多的，且由于膜中所含的氢很多，根据制造方法可以产生正或负固定电子。
    因此由于在表面形成电位势垒，妨碍了载流子的移动，故减少了实验的表面复合速度。结果：由于氧化硅膜的堆积，在600nm前后的中长波段范围内的响应效率增加的同时，还可以显著的改善300~450nm短波长范围的效率，这是由于减少了实际的表面复合速度引起的，其效果是正载流子的时候更显著。

  • 第5题：

    通过控制多晶硅电池表面氮化硅的厚度可以使电池表面呈现不同的色彩，其中厚度为210nm的显示的颜色为（）。

    • A、绿色
    • B、蓝色
    • C、黄色
    • D、红色

    正确答案:D

  • 第6题：

    下列太阳能电池中，现批量生产效率最高的是（）。

    • A、单晶硅
    • B、多晶硅
    • C、硅基薄膜电池
    • D、聚光太阳能电池

    正确答案:D

  • 第7题：

    太阳能电池产业链由以下五个环节组成，其中进入壁垒最高的是（）。

    • A、高纯多晶硅原料生产
    • B、单晶硅拉制或多晶硅定向浇铸
    • C、硅片切割
    • D、电池芯片生产

    正确答案:A

  • 第8题：

    在进行移植苗培育时，移植方法生产上常用有孔植、穴植和（）

    • A、覆膜包裹
    • B、地膜覆盖
    • C、遮阴
    • D、沟植

    正确答案:D

  • 第9题：

    太阳能光伏产业链中包括多晶硅、硅片、电池片、组件及系统。


    正确答案:正确

  • 第10题：

    问答题
    哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

    正确答案： 多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。刻蚀多晶硅的三步工艺：
    1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
    2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
    3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    等离子增强反应沉积中，由于等离子体中（）、（）和（）相互碰撞，可以大大降低沉积温度，例如硅烷和氨气的反应在通常条件下，约在850℃左右反应并沉积氮化硅，但在等离子体增强反应的条件下，只需在350℃左右就可以生成氮化硅。

    正确答案： 正离子,电子,中性反应分子
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    光伏发电产业链从上游到下游，主要包括的产业链条包括多晶硅、硅片和（）
    A

    电池片及电池组件

    B

    电池片

    C

    电池组件

    D

    发电机


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。


    正确答案:多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。
    刻蚀多晶硅的三步工艺：
    1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
    2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
    3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。

  • 第14题：

    下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。

    • A、二氧化硅氮化硅
    • B、多晶硅硅化金属
    • C、单晶硅多晶硅
    • D、铝铜
    • E、铝硅

    正确答案:A,E

  • 第15题：

    太阳能电池是由于（）和多晶硅进行叠层得到的新型太阳能电池。


    正确答案:单晶硅

  • 第16题：

    塑料太阳能电池在导电玻璃基片上形成（）的膜，是在通过在（）下进行焙烧完成。


    正确答案:二氧化钛多孔物质；450ɡ℃

  • 第17题：

    目前常用的太阳能光伏电池有：（）、多晶硅电池、非晶硅电池、非硅材料光伏电池、有机光伏电池等等。


    正确答案:单晶硅电池

  • 第18题：

    在结晶系中，多晶硅电池片的厚度为（）角，单晶硅电池片的厚度为（）角。


    正确答案:125mm；150mm

  • 第19题：

    单晶硅太阳能电池组件的生产流程：（）硅棒（）（）太阳电池组件；多晶硅太阳能电池组件的生产流程：（）硅碇（）硅片太阳电池太阳电池组件。


    正确答案:高纯硅材料；硅片；太阳电池；高纯硅材料；硅块

  • 第20题：

    光伏发电产业链从上游到下游，主要包括的产业链条包括多晶硅、硅片和（）

    • A、电池片及电池组件
    • B、电池片
    • C、电池组件
    • D、发电机

    正确答案:A

  • 第21题：

    问答题
    哪种化学气体通常用来刻蚀多晶硅，为什么这种化学气体替代了氟基化学气体？

    正确答案： 氯气、溴气、氯/溴气
    原因：因为氟基气体的刻蚀是各向同性的并且对光刻胶的选择比一般，为了避免击掉下一层的氧化物材料，所以选用轰击离子能量更低的化学气体。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    多选题
    下列属于OECO电池片结构的特点有（）
    A

    通过对电池片表面进行机械加工，可以得到深度约有30um的垂直的沟，机械加工后，为了消除损伤，进行了蚀刻，也有再进行纹理化的

    B

    在电池片表面的n+层上，形成很薄的氧化膜，然后再在与其上面垂直的沟的侧面制备铝电极，

    C

    因表面电极而引起的发电面积损失非常小，减反射膜性能好，电极和硅界面状态良好，可以得到高的转换效率

    D

    为了钝化和防止反射，用PECVD法形成SiN膜


    正确答案： B,A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆盖，在低温APCVD中，非保形覆盖一般比较常见。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

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