在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。A、单晶硅刻蚀B、多晶硅刻蚀C、二氧化硅刻蚀D、氮化硅刻蚀

题目

在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。

  • A、单晶硅刻蚀
  • B、多晶硅刻蚀
  • C、二氧化硅刻蚀
  • D、氮化硅刻蚀
相似考题

1.刻蚀方法有哪些?()A.化学刻蚀B.离子刻蚀C.电解刻蚀D.以上均不是

2.反应离子腐蚀是（）。A、化学刻蚀机理B、物理刻蚀机理C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合

3.STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？

4.铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。A、等离子体刻蚀B、反应离子刻蚀C、湿法刻蚀D、溅射刻蚀

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  • 第1题：

    干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？


    正确答案:干法刻蚀的主要目的是完整地把掩膜图形复制到硅片表面上。
    干法刻蚀的优点：
    1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
    2.好的CD控制
    3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
    4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
    5.较低的化学制品使用和处理费用
    缺点：对层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备

  • 第2题：

    晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

    • A、n型掺杂区
    • B、P型掺杂区
    • C、栅氧化层
    • D、场氧化层

    正确答案:C

  • 第3题：

    多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

    • A、二氧化硅
    • B、氮化硅
    • C、单晶硅
    • D、多晶硅

    正确答案:A

  • 第4题：

    哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。


    正确答案:多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。
    刻蚀多晶硅的三步工艺：
    1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
    2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
    3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。

  • 第5题：

    单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。

    • A、氮化硅
    • B、二氧化硅
    • C、光刻胶
    • D、多晶硅

    正确答案:B

  • 第6题：

    下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。

    • A、二氧化硅氮化硅
    • B、多晶硅硅化金属
    • C、单晶硅多晶硅
    • D、铝铜
    • E、铝硅

    正确答案:A,E

  • 第7题：

    硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）

    • A、体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工
    • B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工
    • C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构

    正确答案:C

  • 第8题：

    单选题
    微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
    A

    a.离子束刻蚀、激光刻蚀

    B

    b.干法刻蚀、湿法刻蚀

    C

    c.溅射加工、直写加工


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    判断题
    在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？

    正确答案： 采用干法刻蚀，是为了保证深宽比。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？

    正确答案： 优点：
    1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
    2.好的CD控制。
    3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
    4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
    5.较低的化学制品使用和处理费用。
    缺点：对下层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    在STI的刻蚀工艺过程中，要注意哪些工艺参数？

    正确答案： ①STI etch（刻蚀）的角度；
    ②STI etch 的深度；
    ③STI etch 后的CD尺寸大小控制。
    （CD control， CD=critical dimension）
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。

    • A、铜
    • B、铝
    • C、金
    • D、二氧化硅

    正确答案:D

  • 第14题：

    在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。

    • A、气体
    • B、等离子体
    • C、固体
    • D、液体

    正确答案:B

  • 第15题：

    微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。

    • A、干法刻蚀、湿法刻蚀
    • B、离子束刻蚀、激光刻蚀
    • C、溅射加工、直写加工
    • D、以上都可以

    正确答案:A

  • 第16题：

    为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

    • A、多晶硅
    • B、单晶硅
    • C、铝硅铜合金
    • D、铜

    正确答案:C

  • 第17题：

    （）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。

    • A、刻蚀速率
    • B、刻蚀深度
    • C、移除速率
    • D、刻蚀时间

    正确答案:A

  • 第18题：

    刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

    • A、选择性
    • B、均匀性
    • C、轮廓
    • D、刻蚀图案

    正确答案:B

  • 第19题：

    问答题
    二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？

    正确答案： 刻蚀硅采用的化学气体为CF4/O2和CL2.刻蚀二氧化硅采用的化学气体为CHF3. 刻蚀铝采用的化学气体为CL2和BCL2.刻蚀光刻胶采用的化学气体为O2.
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

    正确答案： 多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。刻蚀多晶硅的三步工艺：
    1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
    2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
    3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    填空题
    刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。

    正确答案： 被刻蚀图形的侧壁形状,各向同性,各向异性
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。
    A

    a.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；

    B

    b.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；

    C

    c.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 相反

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