STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？

题目

STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？

相似考题

1.刻蚀方法有哪些?()A.化学刻蚀B.离子刻蚀C.电解刻蚀D.以上均不是

2.简述干法刻蚀的物理作用和化学作用。

3.干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？

4.铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。A、等离子体刻蚀B、反应离子刻蚀C、湿法刻蚀D、溅射刻蚀

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  • 第1题：

    在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。

    • A、单晶硅刻蚀
    • B、多晶硅刻蚀
    • C、二氧化硅刻蚀
    • D、氮化硅刻蚀

    正确答案:A

  • 第2题：

    微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。

    • A、干法刻蚀、湿法刻蚀
    • B、离子束刻蚀、激光刻蚀
    • C、溅射加工、直写加工
    • D、以上都可以

    正确答案:A

  • 第3题：

    单选题
    微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
    A

    a.离子束刻蚀、激光刻蚀

    B

    b.干法刻蚀、湿法刻蚀

    C

    c.溅射加工、直写加工


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第4题：

    问答题
    什么是干法刻蚀？

    正确答案： 主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基（处于激发态的分子、原子及各种原子基团等）与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。
    解析： 暂无解析

  • 第5题：

    问答题
    简述什么是干法刻蚀与湿法刻蚀。

    正确答案： 把硅片置于气态产生的等离子体，等离子体中的带正电离子物理轰击硅片表面，等离子体中的反应粒子与硅片表面发生化学反应，从而去除暴露的表面材料。
    干法刻蚀用物理和化学方法，可实现各向异性刻蚀，能实现图形的精确转移。干法刻蚀是集成电路刻蚀工艺的主流技术，广泛用于有图形刻蚀、回蚀和部分材料去除工艺。
    把硅片置于液体化学试剂，化学腐蚀液与硅片表面发生化学反应，从而去除暴露的表面材料。湿法刻蚀用化学方法，一般是各向同性刻蚀，不能实现图形的精确转移。湿法刻蚀基本只用于部分材料去除工艺。
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    填空题
    在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。

    正确答案： 化学作用,物理作用,化学作用与物理作用混合
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    问答题
    为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体？

    正确答案： 传统的RIE系统等离子体离化率最大0.1%，因而需要较多的气体以产生足够的粒子。较高的气压使得粒子碰撞频繁，反应粒子很难进入小尺寸高深宽比图形，反应产物也很难排出。高密度等离子体的离化率达到10%，用于0.25微米以下的工艺。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    什么是LOCOS和STI（写中英文全称），为什么在高级IC中STI取代了LOCOS，列举STI的工艺步骤。

    正确答案： LOCOS：硅的局部氧化隔离  local oxidation of silicon
    STI：浅槽隔离 shallow trench isolation
    原因：
    1.更有效的器件隔离的需要，尤其是对DRAM器件而言
    2.对晶体管隔离而言，表面积显著减小。
    3.超强的闩锁保护能力。
    4.对沟道没有侵蚀。
    5.与CMP的兼容
    步骤：阻挡层和线性氧化层
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？

    正确答案： 优点：
    1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
    2.好的CD控制。
    3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
    4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
    5.较低的化学制品使用和处理费用。
    缺点：对下层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    湿法刻蚀和干法刻蚀的区别？

    正确答案： 湿法刻蚀设备简单、工艺操作方便，一般的常规生产均能满足要求，但各向同性刻蚀性太强，难以控制线宽，而且刻蚀剂大多为腐蚀性较强的试剂，安全性较差；
    物理性干法刻蚀方向性好、可获得接近垂直的刻蚀侧墙，但因为离子的溅击面太广，掩蔽层也遭到刻蚀，使得刻蚀选择性降低，另外，被击出的是非挥发性物质，容易再次淀积，使刻蚀速率降低；化学性干法刻蚀选择比高但却是各向同性刻蚀，线宽控制性差。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 相反

  • 第12题：

    问答题
    在STI的刻蚀工艺过程中，要注意哪些工艺参数？

    正确答案： ①STI etch（刻蚀）的角度；
    ②STI etch 的深度；
    ③STI etch 后的CD尺寸大小控制。
    （CD control， CD=critical dimension）
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。

    • A、ARC可以是硅的氮化物
    • B、可用干法刻蚀除去
    • C、ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
    • D、ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
    • E、ARC膜也可以通过CVD的方法形成

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第14题：

    下列不属于离子束加工技术的是（）。

    • A、离子束刻蚀
    • B、离子束焊接
    • C、离子注入技术
    • D、离子束镀膜技术

    正确答案:B

  • 第15题：

    问答题
    什么是浅槽隔离（STI），它取代了什么工艺？

    正确答案： 浅槽隔离（STI）是在衬底制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺。
    取代了局域氧化工艺（LOCOS）
    解析： 暂无解析

  • 第16题：

    填空题
    干法刻蚀的终点检测有许多方法，通常采用的是（）终点检测方法。

    正确答案： 残余气体质谱分析、等离子室光发射谱分析和激光干涉
    解析： 暂无解析

  • 第17题：

    问答题
    什么是干法刻蚀？干法有几种刻蚀方法？

    正确答案： 用等离子体对薄膜线条进行刻蚀的一种新技术。
    分为等离子体刻蚀、反应离子刻蚀RIE、磁增强反应离子刻蚀、高密度等离子刻蚀等类型。
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    问答题
    STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？

    正确答案： 采用干法刻蚀，是为了保证深宽比。
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    问答题
    简述什么是浅槽隔离STI及优点。

    正确答案： 浅槽隔离是在衬底上通过刻蚀槽、氧化物填充及氧化物平坦化等步骤，制作晶体管有源区之间的隔离区的一种工艺。它取代了LOCOS隔离工艺。
    优点：提高电路的集成度，改善电路的抗闩锁性能。
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？

    正确答案： 不用SF6等F基气体是因为Cl基气体刻蚀多晶硅对下层的栅氧化层有较高的选择比。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    判断题
    高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。

    正确答案： 1）干法腐蚀是应用等离子技术的腐蚀方法，刻蚀气体在反应器中等离子化，与被刻蚀材料反应（或溅射），生成物是气态物质，从反应器中被抽出。湿法刻蚀是化学腐蚀，晶片放在腐蚀液中（或喷淋），通过化学反应去除窗口薄膜，得到晶片表面的薄膜图形。
    2）干法刻蚀与湿法刻蚀比较，优点：
    ○1保真度好，图形分辨率高；
    ○2湿法腐蚀难的薄膜如氮化硅等可以进行干法刻蚀。
    ○3清洁性好，气态生成物被抽出；无湿法腐蚀的大量酸碱废液。
    缺点：
    ○1设备复杂
    ○2选择比不如湿法
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    简述干法刻蚀的应用

    正确答案： 介质——氧化物和氮化硅
    硅——多晶硅栅和单晶硅槽
    金属——铝和钨
    解析： 暂无解析

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