介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。A、多晶硅B、氮化硅C、二氧化硅

题目

介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。

  • A、多晶硅
  • B、氮化硅
  • C、二氧化硅
相似考题

1.引起绝缘电击穿的主要原因是作用在电介质上的电场强度过高,当其超过一定限值时,电介质就会因失去绝缘性能而损坏。()此题为判断题(对，错)。

2.提高固体电介质击穿电压的方法：①（）；②提高绝缘的制造工艺水平；③改善绝缘的运行条件。

3.电介质的介电性能包括（）A极化B损耗C绝缘D绝缘强度

4.下列哪种介质同其他介质相比，具有在击穿后完全的绝缘自恢复特性？（ ）A.气体电介质 B.液体电介质 C.固体电介质 D.复合电介质

更多“介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。A、多晶硅B、氮化硅C、二氧化硅”相关问题

  • 第1题：

    引起绝缘电击穿的主要原因是作用在电介质上的电场强度过高，当其超过一定限值时，电介质就会因失去绝缘性能而损坏。

    A对

    B错


    对
    略

  • 第2题：

    在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。

    • A、单晶硅刻蚀
    • B、多晶硅刻蚀
    • C、二氧化硅刻蚀
    • D、氮化硅刻蚀

    正确答案:A

  • 第3题：

    击穿电压是指使电介质丧失其绝缘性能而导电时，作用于其上的最低临界电压。


    正确答案:正确

  • 第4题：

    固体电介质击穿后，（）其绝缘性能。

    • A、失去
    • B、保持
    • C、恢复
    • D、增加

    正确答案:A

  • 第5题：

    固体电介质发生击穿后，经过一段时间绝缘性能可以重新恢复。


    正确答案:错误

  • 第6题：

    以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。

    • A、单晶硅
    • B、多晶硅
    • C、硅化金属
    • D、二氧化硅
    • E、氮化硅

    正确答案:B,C

  • 第7题：

    在多晶硅电池片上用等离子体进行的化学（）生产氮化硅膜是历来常用的方法。


    正确答案:气相沉积法

  • 第8题：

    （）是因电场使电介质中积聚起足够数量和能量的带电质点而导致电介质失去绝缘性能。

    • A、电击穿
    • B、电化学击穿
    • C、热击穿
    • D、电离击穿

    正确答案:A

  • 第9题：

    （）一旦发生击穿后，构成永久性破坏，绝缘性能不可能恢复。

    • A、固体电介质
    • B、气体电介质
    • C、液体电介质

    正确答案:A

  • 第10题：

    单选题
    （）一旦发生击穿后，构成永久性破坏，绝缘性能不可能恢复。
    A

    固体电介质

    B

    气体电介质

    C

    液体电介质


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    多选题
    电介质的介电性能包括（）
    A

    极化

    B

    损耗

    C

    绝缘

    D

    绝缘强度


    正确答案： B,C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    电介质损耗的大小是衡量绝缘电性能的一项重要指标
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在强电场作用下，电介质丧失电绝缘能力的现象分为（）。

    • A、固体电介质击穿
    • B、绝缘老化
    • C、液体电介质击穿
    • D、气体电介质击穿

    正确答案:A,C,D

  • 第14题：

    多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

    • A、二氧化硅
    • B、氮化硅
    • C、单晶硅
    • D、多晶硅

    正确答案:A

  • 第15题：

    什么是介质损耗？为什么说tgδ（δ为介质损耗角）越大，电介质材料的绝缘性能越差？


    正确答案:在交流电电压作用下，电介质由于发热而损耗的能量叫做介质损耗。由于介质损耗是漏导电流和吸收电流造成的，漏导电流和吸收电流越大，介质损耗角δ越大，则tanδ越大，因此，tanδ越大，漏导电流和吸收电流越大，电介质材料的绝缘性能越差。

  • 第16题：

    电介质就是绝缘体，在电介质内没有可以移动的电荷，也没有自由移动的电荷。下面属于电介质的有：（）。

    • A、大气分子
    • B、气溶胶粒子
    • C、云中粒子中的电子
    • D、大气中的水滴

    正确答案:A,B,C

  • 第17题：

    在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。

    • A、晶圆顶层的保护层
    • B、多层金属的介质层
    • C、多晶硅与金属之间的绝缘层
    • D、掺杂阻挡层
    • E、晶圆片上器件之间的隔离

    正确答案:B,C,E

  • 第18题：

    下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。

    • A、二氧化硅氮化硅
    • B、多晶硅硅化金属
    • C、单晶硅多晶硅
    • D、铝铜
    • E、铝硅

    正确答案:A,E

  • 第19题：

    引起绝缘电击穿的主要原因是作用在电介质上的电场强度过高，当其超过一定限值时，电介质就会因失去绝缘性能而损坏。


    正确答案:正确

  • 第20题：

    电介质的绝缘电阻性能用（）表征。


    正确答案:电阻率

  • 第21题：

    为什么说tgδ（δ为介质损耗角）越大，电介质材料的绝缘性能越差？


    正确答案:由于介质损耗是漏导电流和吸收电流造成的，漏导电流和吸收电流越大，介质损耗角δ越大，则tgδ越大，因此，tgδ越大，漏导电流和吸收电流越大，电介质材料的绝缘性能越差。

  • 第22题：

    多选题
    电介质就是绝缘体，在电介质内没有可以移动的电荷，也没有自由移动的电荷。下面属于电介质的有：（）。
    A

    大气分子

    B

    气溶胶粒子

    C

    云中粒子中的电子

    D

    大气中的水滴


    正确答案： D,A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    一切电介质的电气强度都是有限的，超过某种限度电介质就会丧失其原有的绝缘性能。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

相关内容