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  • 第1题:

    多晶硅薄膜通常采取哪种方法制备:

    A.APCVD

    B.磁控溅射

    C.LPCVD

    D.VPE


    LPCVD

  • 第2题:

    直熔法制备多晶硅需要()坩埚


    错误

  • 第3题:

    1、所谓多晶硅薄膜的间接制备法,就是先制备得到()薄膜,再通过不同的晶化技术,将其晶化为多晶硅薄膜。

    A.非晶硅

    B.单晶硅

    C.微晶硅

    D.多晶硅


    液相外延(LPE)法;化学气相沉积( CVD )法;等离子增强化学气相沉积( PECVD )法;低压化学气相沉积( LPCVD )

  • 第4题:

    多晶硅薄膜的间接制备法是指先制备得到 晶硅薄膜,再通过不同的晶化技术,将其晶化为多晶硅薄膜。


    液相外延(LPE)法;化学气相沉积( CVD )法;等离子增强化学气相沉积( PECVD )法;低压化学气相沉积( LPCVD )

  • 第5题:

    14、多晶硅薄膜的制备方法主要可以分为两大类,即直接制备法和 制备法。


    LPCVD