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  • 第1题:

    SF6的制备在工业上普遍采用的制备方法是由()和()直接化合的方法。

    • A、气态硫
    • B、单质硫
    • C、过量气态氟
    • D、固态氟

    正确答案:B,C

  • 第2题:

    叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。


    正确答案: (1)使用电炉用炭将硅砂还原为冶金级硅;
    (2)冶金级硅提纯为半导体级硅:西门子法和ASiMi法(硅烷法);
    (3)半导体级多晶硅原材料转变成单晶硅和多晶硅:单晶硅的制备主要有直拉单晶法(CZ法)和浮融(FZ-FloatZonE.法。铸造多晶硅有三种主要的方法有Bridgman法、铸锭法和电磁铸造法(MEC.。

  • 第3题:

    制备记录应可追溯到哪些要素()

    • A、起始血液
    • B、制备后成品
    • C、制备人员
    • D、制备方法、制备环境
    • E、使用设备和物料

    正确答案:A,C,D,E

  • 第4题:

    下列制备多晶硅太阳能电池的提纯工艺中,目前成本最低的是()。

    • A、改良西门子法
    • B、硅烷热分解法
    • C、流化床法
    • D、冶金法

    正确答案:D

  • 第5题:

    将得到的多晶硅进行溶解,做成单晶硅,其方法有()和浮游带熔融两种。


    正确答案:乔克莱尔斯基

  • 第6题:

    目前多晶硅原料的制备方法主要有三氯氢硅法(改良西门子法)和()两种方法。


    正确答案:硅烷法

  • 第7题:

    异质基片上高品质叠层的多晶硅型薄膜技术有几种方法?


    正确答案: 目前广泛有:化学气相沉积法(CVD.、液相外延法(LPE.、固相结晶化法(SPC.

  • 第8题:

    判断题
    血液制备记录应可追溯到起始血液、制备人员、制备方法、制备环境、使用设备和物料。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    填空题
    栓剂的制备方法主要有()和();软胶囊的制备方法主要有()和()。

    正确答案: 冷压法,热熔法,滴制法,压制法
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    填空题
    根据制备方法的不同,水性环氧树脂的制备方法主要有()、()、()和()等。

    正确答案: 机械法,相反转法,固化剂乳化法,化学改性法
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    单选题
    做集成电路的多晶硅电阻设计时,要计算每个电阻的阻值,那么电阻的长度是怎样计算的?()
    A

    整个多晶硅的长度

    B

    多晶硅中两个引线孔中心点的距离

    C

    多晶硅中两个引线孔内侧的距离

    D

    多晶硅中两个引线孔外侧的距离


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    其它
    (1).白降丹的制备方法|(2).红升丹的制备方法|(3).丹药的制备方法|(4).水丸的制备方法

    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    下列属于多晶硅制备的方法有()

    • A、硅烷法
    • B、流化床法
    • C、改良西门子法
    • D、浮游带熔融法

    正确答案:A,B,C

  • 第14题:

    根据制备方法的不同,水性环氧树脂的制备方法主要有()、()、()和()等。


    正确答案:机械法;相反转法;固化剂乳化法;化学改性法

  • 第15题:

    血液制备记录应可追溯到起始血液、制备人员、制备方法、制备环境、使用设备和物料。


    正确答案:正确

  • 第16题:

    栓剂的制备方法主要有()和();软胶囊的制备方法主要有()和()。


    正确答案:冷压法;热熔法;滴制法;压制法

  • 第17题:

    生产多晶硅带的方法主要有定边喂膜法、蹼状枝晶法、绳带法和模板生长法,其中产出率最高的方法为()


    正确答案:模板生长法

  • 第18题:

    铸造技术为何能提高多晶硅纯度;制备铸造多晶硅的工艺流程;描述直培法工艺;影响直培法制备柱形多晶硅的因素。


    正确答案: 提纯材料:
    1.利用定向凝固过程中的杂质分凝现象,使杂质富集在多晶硅锭的两端。
    2.在真空中熔化,凝固,原料中杂质在表面挥发。
    3.在保护气体或熔体中添加能与杂质反应生成挥发性物质的气体,是杂质中熔硅分离。直熔法工艺流程:装料---加热---熔化---晶体生长---退火---冷却。
    直培法描述:硅原材料首先在坩埚中熔化,坩埚周围的加热器保持坩埚上部温度的同时,自坩埚的底部开始逐渐降温,从而使坩埚底部的熔体首先结晶,再通过保持固液界面在同一水平面上并逐渐上升,使得整个熔体结晶为晶锭。采用定向凝固法长晶。影响因素:纯度高,不产生杂质玷污;不与晶体粘连;热膨胀系数小;热导率小;坩埚形状(方形,内壁涂高纯氧化硅/氮化硅)

  • 第19题:

    晶体硅电池大面积多晶硅绒面的制备结论?


    正确答案: 增加太阳电池表面光吸收是太阳电池生产过程中的一个重要环节在合适的反应条件下,用酸腐蚀法可以在硅片上制备出减反射效果良好的绒面,并且工艺简单、成本低,适合于实际应用。如果能解决好与太阳电池生产后续工艺的兼容问题,这种方法将会有很好的工业应用前景。

  • 第20题:

    单选题
    下列铸造多晶硅的制备方法中,()没有坩埚的消耗,降低了成本,同时又可减少杂质污染长度。
    A

    布里曼法

    B

    热交换法

    C

    电磁铸锭法

    D

    浇铸法


    正确答案: D
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    问答题
    晶体硅电池大面积多晶硅绒面的制备结论?

    正确答案: 增加太阳电池表面光吸收是太阳电池生产过程中的一个重要环节在合适的反应条件下,用酸腐蚀法可以在硅片上制备出减反射效果良好的绒面,并且工艺简单、成本低,适合于实际应用。如果能解决好与太阳电池生产后续工艺的兼容问题,这种方法将会有很好的工业应用前景。
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    问答题
    目前,制备低温多晶硅常用的方法是什么?

    正确答案: 激光晶化法、金属诱导法。
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    多选题
    下列属于多晶硅制备的方法有()
    A

    硅烷法

    B

    流化床法

    C

    改良西门子法

    D

    浮游带熔融法


    正确答案: C,D
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    问答题
    沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具,列举多晶硅作为栅电极的6个原因。

    正确答案: 采用LPCVD工具;
    1.通过掺杂可得到特定的电阻;
    2.和二氧化硅优良的界面特性;
    3.和后续高温工艺的兼容性;
    4.比金属电极更高的可靠性;
    5.在陡峭的结构上淀积的均匀性;
    6.实现栅的自对准工艺。
    解析: 暂无解析