二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。A.0.10.2 B.0.20.3 C.0.50.1 D.0.50.4

第1题：

二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。

• A、0.1；0.2
• B、0.2；0.3
• C、0.5；0.1
• D、0.5；0.4

第2题：

二极管真正导通后，锗管的电压约为（）V。

• A、0.3
• B、0.5
• C、0.7
• D、0.9

第3题：

常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。

第4题：

晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。

第5题：

硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。

第6题：

在工程估算中，硅二极管的正向导通电压取（）V，锗二极管的正向导通电压取（）V。

第7题：

二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。

第8题：

二极管当正向电压超过U_VD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。

第9题：

锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7v，锗管约为0.3v。

第14题：

硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。

第15题：

硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。

第16题：

硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。

第17题：

硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。

第18题：

锗管的门限电压约为（）V。

第19题：

硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）

• A、0.6V；0.6V
• B、0.6V；0.1V
• C、0.1V；0.6V
• D、0.1V；0.1V

第20题：

普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。

第21题：

硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？

第22题：

第23题：