硅二极管的正向电压约为0.2V。()
第1题:
硅材料二极管的正向导通电压约为()。
第2题:
硅二极管的死区电压一般为0.2V。
第3题:
硅管的正向电压为0.2V。
第4题:
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
第5题:
硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第6题:
在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V,锗二极管的正向导通电压取()V。
第7题:
二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。
第8题:
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第9题:
硅二极管上外加正向电压很低时,正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约()时,正向电流才明显增加,这个电压称为硅二极管的门坎电压。
第10题:
第11题:
对
错
第12题:
第13题:
硅二极管的正向导通电压约为()
第14题:
二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()
第15题:
硅二极管的正向导通压降约为()
第16题:
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第17题:
硅二极管的导通电压值约为(),锗二极管的导通电压约为()。
第18题:
在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第19题:
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
第20题:
锗二极管的正向电阻很大,正向导通电压约为0.2V。()
第21题:
对
错
第22题:
对
错
第23题: