第1题:
硅二极管的正向电压约为0.2V。()
第2题:
稳压二极管工作时,外加电压及动态电阻为()
第3题:
二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()
第4题:
用万用表测试好的单向可控硅,阳极与阴极间()。
第5题:
硅管的正向导通电压约为0.7V.
第6题:
在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第7题:
锗二极管的正向电阻很大,正向导通电压约为0.2V。()
第8题:
可控硅元件控制极与阴极之间的反向电阻不一定比正向电阻大
第9题:
正向电阻小,反向电阻大
正向与反向电阻都很大
正向与反向电阻都很小
正向电阻大,反向电阻小
第10题:
正向电压,动态电阻很小
反向电压,动态电阻很小
正向电压,动态电阻较大
反向电压,动态电阻很大
第11题:
第12题:
正向电阻小,反向电阻大
正向和反向电阻都很小
正向与反向电阻都很大
正向电阻大,反向电阻小
第13题:
二极管具有什么特性?理想二极管的正向电阻为多少?反向电阻为多少?稳压二极管应工作在什么状态?
第14题:
硅稳压二极管的稳压作用是利用其内部PN结的正向特性来实现的。()
第15题:
用万用表测试好的单向可控硅时,阳极与控制极间的()。
第16题:
在判断被测二极管是硅管还是锗管,一般情况下是通过测量()来判断的。
第17题:
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第18题:
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第19题:
硅稳压管使用时,需()。
第20题:
硅二极管的正向电阻()锗二极管的正向电阻。
第21题:
第22题:
第23题:
对
错