小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V

第1题：

第2题：

硅半导体二极管的死区电压约为（）。

• A、0.2V
• B、1.2V
• C、0.5V
• D、1.5V

正确答案:C

第3题：

二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？

正确答案: 当正向超过某值Us时，正向电流才迅速增大，这个Us值就称为死区电压。出现死区电压的原因是由于PI/I结形成后，空间电荷区的内电场阻止多数载沈子扩散，当外加正向电压很低时，不能克服内电场的阻碍作用，这样使得正向扩散电流很小，通过=极管的电流较小（近似为o），硅管和锗管的死区电压分别均为0.5v和0.1V。

第4题：

硅二极管的死区电压约为（）。

• A、0.2
• B、0.3
• C、0.5
• D、0.7

正确答案:D

第5题：

二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？

正确答案:当外加正向电压很低时，正向电流很小，几乎为零。当正向电压超过一定数值后，电流增大很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压。通常，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.5V。

第6题：

常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。

正确答案:0.6（或0.7）；0.2（或0.3）

第7题：

硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。

正确答案:0.5；0.1

第8题：

二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。

正确答案:单；0.1；0.5

第9题：

在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。

正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

第10题：

硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。

• A、0.3V
• B、0.2V
• C、0.5V
• D、0.7V

正确答案:D

第11题：

第12题：

第13题：

小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。

正确答案:正确

第14题：

硅二极管的正向电压约为0.2V。（）

正确答案:错误

第15题：

常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。

• A、0.1
• B、0.3
• C、0.5
• D、0.7

正确答案:D

第16题：

二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）

正确答案:0.6～0.8V；0.2～0.4V

第17题：

硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。

正确答案:0.5；0.1

第18题：

晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。

正确答案:0.6～0.7；0.2～0.3；0.5；0.1

第19题：

在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。

正确答案:0.5V；0.7V

第20题：

二极管当正向电压超过U_VD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。

正确答案:0.7V；0.3 V

第21题：

普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。

正确答案:0.6~0.8；0.7；0.2~0.3；0.2；1~2.5

第22题：

硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？

正确答案: 硅二极管的死区电压值约为0.5V。锗二极管的死区电压约为0.2V。

第23题：