硅二极管的死区电压一般为0.2V。此题为判断题(对，错)。
题目
硅二极管的死区电压一般为0.2V。
此题为判断题(对，错)。
相似考题
参考答案和解析
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第1题：
【填空题】硅二极管的死区电压是
0.5V -
第2题：
硅二极管的死区电压（开启电压）是0.7V
0.5 -
第3题：
3、硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。
错误 -
第4题：
一般情况下，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（)。
× -
第5题：
什么是二极管的死区电压？为什么会出现死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
当外加电压很低时，由于外加电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，使正向电流很小，几乎为零。当正向电压超过一定值后，内电场被大大削弱，电流增加很快，这一定数值的电压称为死区电压。