硅管的死区电压为0.2V,导通压降为0.6~0.7V;锗管的死区电压为0.5V,导通压降为0.2~0.3V。
第1题:
二极管导通状态描述错误的是()
第2题:
二极管处于导通状态时,二极管的压降()。
第3题:
硅管的导通压降为()V。
第4题:
硅二极管的死区电压一般为0.2V。
第5题:
锗二极管的死区电压为()V,导通电压为()V
第6题:
晶体二极管特性为()导通,()截止,导通后硅管压降为(),锗管压降为()。
第7题:
硅管的死区电压为0.5V,锗管的死区电压为()。
第8题:
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第9题:
晶体管的PN结的正向压降为()。
第10题:
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时,硅二极管()。
第11题:
二极(锗)管的死区电压为()。
第12题:
立即导通
若超过0.3V才导通
若越过死区电压就导通
第13题:
小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。
第14题:
硅二极管两端加上正向电压时()。
第15题:
二极管导通时,正向压降为0.7V。
第16题:
晶闸管导通后的管压降为()左右。
第17题:
硅三极管两端加上正向电压时()。
第18题:
硅管的死区电压约为()V,锗管的死区电压约为()V。
第19题:
硅管的导通压降约为()V,锗管的导通压降约为()V。
第20题:
二极管两端加上正向电压时()
第21题:
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。
第22题:
常温下,硅二极管的正向导通压降为()。
第23题:
0.1~0.2V/0.3V
0.2~0.3V/0.7V
0.3~0.5V/0.7V
0.5V/0.7V
第24题:
锗管为0.3V左右
锗管为0.7V左右
硅管为0.3V左右
硅管为0.7V左右