晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。A.0.7 B.0.5 C.0.3 D.0.1

题目
晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。

A.0.7
B.0.5
C.0.3
D.0.1
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1.硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。

2.硅晶体管发射结的导通电压约为(),锗晶体管发射结的导通电压约为()。

3.当晶体管的发射结正偏,集电结反偏时,则晶体管处于()。A、饱和状态B、放大状态C、截止状态

4.当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时,晶体管一定工作在饱和区。()此题为判断题(对，错)。

更多“晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。”相关问题

  • 第1题：

    工作在放大状态的晶体管，各极的电位应使晶体管满足什么？( )

    A.发射结正偏，集电结反偏
    B.发射结反偏，集电结正偏
    C.发射结、集电结均反偏
    D.发射结、集电结均正偏

    答案：A
    解析：
    发射结正偏，集电结反偏晶体管才能工作在放大状态。

  • 第2题：

    二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。

    A.0.10.2
    B.0.20.3
    C.0.50.1
    D.0.50.4

    答案：C
    解析：
    这个一定数值的正向电压称为开启电压，其大小与材料及环境温度有关。通常硅管的开启电压约为0.5V，锗管约为0.1V。

  • 第3题：

    当晶体管的发射结正偏，集电结正偏，晶体管处于饱和状态。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7v，锗管约为0.3v。


    正确答案:正确

  • 第5题：

    在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为6V、1.2V、1V，则该管为（）

    • A、NPN型硅管
    • B、PNP型锗管
    • C、NPN型锗管
    • D、PNP型硅管

    正确答案:C

  • 第6题：

    硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为（）V和（）V。


    正确答案:0.7；0.3

  • 第7题：

    当硅晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，该管工作在（）。

    • A、放大状态
    • B、饱和状态
    • C、截止状态
    • D、无能确定

    正确答案:D

  • 第8题：

    晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.6～0.7；0.2～0.3；0.5；0.1

  • 第9题：

    硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.5；0.1

  • 第10题：

    当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区。


    正确答案:错误

  • 第11题：

    单选题
    工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。
    A

    发射结正偏，集电结反偏

    B

    发射结反偏，集电结正偏

    C

    发射结、集电结均反偏

    D

    发射结、集电结均正偏


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    多选题
    晶体管的PN结的正向压降为（）。
    A

    锗管为0.3V左右

    B

    锗管为0.7V左右

    C

    硅管为0.3V左右

    D

    硅管为0.7V左右


    正确答案： B,D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    设所有的二极管X晶体管为硅管，二极管正向压降为0.3V，晶体管发射结导通压降UBE＝0.7V，则图中各晶体管的工作状态正确的是（　　）。


    A． VT1饱和，VT2饱和
    B． VT1截止，VT2饱和
    C． VT1截止，VT2放大
    D． VT1放大，VT2放大

    答案：C
    解析：
    二极管正向压降为0.3V，晶体管发射结正向导通压降为0.7V，所以：
    图a）中，由于参考点电位为0.3V，1V的基极电压不足以使其导通，所以VT1截止，即：UE＞UB＞UC，三极管截止。
    图b）中，UB＝6V，UE＝6－0.7＝5.3V，IE＝（6－0.7）/1000＝5.3mA，UC＝12－5.3＝6.7V
    则：UC＞UB＞UE，即VT2处于放大状态。

  • 第14题：

    当晶体管的发射结正偏，集电结正偏时，晶体管处于饱和状态。


    正确答案:错误

  • 第15题：

    晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大状态。


    正确答案:错误

  • 第16题：

    硅管的导通电压约为0．3V。


    正确答案:错误

  • 第17题：

    硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.5；0.1

  • 第18题：

    当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时，晶体管一定工作在饱和区。（）


    正确答案:正确

  • 第19题：

    硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。


    正确答案:0.7；0.2

  • 第20题：

    工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。

    • A、发射结正偏，集电结反偏
    • B、发射结反偏，集电结正偏
    • C、发射结、集电结均反偏
    • D、发射结、集电结均正偏

    正确答案:A

  • 第21题：

    晶体管的PN结的正向压降为（）。

    • A、锗管为0.3V左右
    • B、锗管为0.7V左右
    • C、硅管为0.3V左右
    • D、硅管为0.7V左右

    正确答案:A,D

  • 第22题：

    晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。

    • A、0.2V
    • B、0.3V
    • C、0.5V
    • D、0.7V

    正确答案:D

  • 第23题：

    单选题
    处于截止状态的晶体管，其工作状态为（）。
    A

    发射结正偏，集电结正偏

    B

    发射结反偏，集电结反偏

    C

    发射结正偏，集电结反偏

    D

    发射结反偏，集电结正偏


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

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