增强型MOS管放大电路，为何不可采用自给栅偏压的结构形式？

题目
增强型MOS管放大电路，为何不可采用自给栅偏压的结构形式？
相似考题

1.vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管

2.丙类工作状态的栅偏压比截止栅压更负,若振荡管采用固定栅偏压,管子将恒处于饱和状态。()此题为判断题(对，错)。

3.在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型

4.耗尽型MOS管不能采用自偏压方式。()此题为判断题(对，错)。

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  • 第1题：

    ()场效应管能采取自偏压电路。

    A、增强型和结型

    B、耗尽型和结型

    C、都不能

    D、增强型和耗尽型


    参考答案：B

  • 第2题：

    零偏压电路适用于所有的场效应管放大电路。()


    正确答案:错

  • 第3题：

    CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案：正确

  • 第4题：

    场效应管分压式偏置电路适合于()场效应管组成的放大电路。

    A.增强型

    B.耗尽型

    C.增强型和耗尽型

    D.以上均不对


    参考答案:C

  • 第5题：

    单边带收发信机功放级采用金属陶瓷管的，其栅偏压应采用（）

    • A、固定栅偏压
    • B、固定自偏压
    • C、栅极自给偏压
    • D、B与C相结合

    正确答案:D

  • 第6题：

    结型场效应管的类型有（）。

    • A、N沟道结型场效应管
    • B、P沟道结型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第7题：

    结型场效应管放大电路的偏置方式是（）

    • A、自给偏压电路
    • B、外加偏压电路
    • C、无须偏置电路
    • D、栅极分压与源极自偏结合

    正确答案:A,D

  • 第8题：

    某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）

    • A、P沟道耗尽型MOS管
    • B、N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管
    • D、N沟道增强型MOS管

    正确答案:B

  • 第9题：

    CMOS反相器基本电路包括（）

    • A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
    • B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

    正确答案:A

  • 第10题：

    兼有（）和（）两种增强型MOS电路称为CMOS电路。


    正确答案:N沟道；P沟道

  • 第11题：

    填空题
    电子管放大器的栅极经偏压电源接地，帘栅经帘栅电源接地，栅极和帘栅极射频直接接地，我们称这样的放大器为（）放大器。

    正确答案： 栅地或共栅
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    单边带功放级用金属陶瓷管的栅偏压应采用（）
    A

    固定栅偏压

    B

    固定自偏压

    C

    栅极自给偏压

    D

    BC相结合


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    单边带功放级用金属陶瓷管的栅偏压应采用()。

    A.固定栅偏压

    B.固定自偏压

    C.栅极自给偏压

    D.BC相结合


    参考答案：A

  • 第14题：

    MOS集成门电路是绝缘栅场效应管组成的集成电路。()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案：正确

  • 第15题：

    结型场效应管的类型有()。

    A.N沟道结型场效应管

    B.P沟道结型场效应管

    C.N沟道增强型MOS管

    D.P沟道增强型MOS管

    E.N沟道耗尽型MOS管

    F.P沟道耗尽型MOS管


    参考答案：AB

  • 第16题：

    CMOS 非门电路采用什么类型的MOS管?


    答案：采用一个PMOS管和一个NMOS管。

  • 第17题：

    单边带功放级用金属陶瓷管的栅偏压应采用（）

    • A、固定栅偏压
    • B、固定自偏压
    • C、栅极自给偏压
    • D、BC相结合

    正确答案:A

  • 第18题：

    场效应管的类型有（）。

    • A、结型场效应管
    • B、绝缘栅型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第19题：

    UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。

    • A、结型管  
    • B、增强型MOS管  
    • C、耗尽型MOS管

    正确答案:A

  • 第20题：

    当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。

    • A、JFET
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、NMOS管

    正确答案:B

  • 第21题：

    为了使集成运放具有较强的放大能力，其中间级多采用（）。

    • A、共射放大电路
    • B、共集放大电路
    • C、共基放大电路
    • D、共栅放大电路

    正确答案:A

  • 第22题：

    单选题
    三极管放大电路中，直流通路主要用来确定电路（）的。
    A

    放大倍数

    B

    静态工作点

    C

    波形失真

    D

    偏压


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    单边带收发信机功放级采用金属陶瓷管的，其栅偏压应采用（）
    A

    固定栅偏压

    B

    固定自偏压

    C

    栅极自给偏压

    D

    B与C相结合


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

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