A、N沟道耗尽型
B、P沟道耗尽型
C、P沟道增强型
D、N沟道增强型
第1题:
某结型场效应管的夹断电压为3V,源极电位1V,栅极电位3V,漏极电位-10V,则下述关于该FET说法正确的是()。
A.P沟道管,工作在可变电阻区
B.N沟道管,工作在放大区
C.P沟道管,工作在放大区
D.N沟道管,工作在可变电阻区
第2题:
测得放大电路中晶体三极管三个电极的直流电位分别为:① 2.3V,② 3V,③ 6V, 则该晶体管为()型管。
第3题:
某结型场效应管的夹断电压为-3V,源极电位3V,栅极电位-1V,漏极电位10V,则下述关于该FET说法正确的是()。
A.P沟道管,工作在可变电阻区
B.N沟道管,工作在放大区
C.P沟道管,工作在截止区
D.N沟道管,工作在截止区
第4题:
测得放大电路中晶体三极管三个电极的直流电位分别为:① 2.3V,② 3V,③ 6V, 则该晶体管的集电极为()。
A.③
B.①
C.②
D.无法确定
第5题:
测得放大电路中晶体三极管三个电极的直流电位分别为:① 2.3V,② 3V,③ -6V, 则该晶体管为()型管。