A.结型管
B耗尽型MOS管
C增强型MOS管
第1题:
12、P沟道结型场效应管工作在放大区的条件是_______。
A.0< vGS < VP 或 vDS < vGS-VP
B.VP< vGS <0,且 vDS > vGS-VP
C.0< vGS < VP,且 vDS > vGS-VP
D.0< vGS < VP,且 vDS < vGS-VP
第2题:
【单选题】N沟道结型场效应管工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置()
A.vGS为正,vDS为负;
B.vGS为负,vDS为正;
C.vGS为正,vDS为正;
D.vGS为负,vDS为负。
第3题:
【单选题】P沟道结型场效应管工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置()
A.vGS为正,vDS为负;
B.vGS为负,vDS为正;
C.vGS为正,vDS为正;
D.vGS为负,vDS为负。
第4题:
1、当N沟道增强型场效应管工作在可变电阻区时,iD 几乎仅决定于vGS。
第5题:
如果电路中的场效应管工作在放大区,则电路具有可变电阻的特性。