此题为判断题(对,错)。
1.单边带功放级用金属陶瓷管的栅偏压应采用()。A.固定栅偏压B.固定自偏压C.栅极自给偏压D.BC相结合
2.增强型MOS管放大电路,为何不可采用自给栅偏压的结构形式?
3.若三极管的发射结加正向偏压,集电结加反向偏压,则该管工作于()状态。A放大B截止C饱和D开关
4.当外加阳极电压一定时,将栅极电压由零逐渐降低,阳极电流也减少,当栅极电压为某一负值时(Ug0),阳极电流降为零,此时对应的负栅偏压叫()栅压。A.饱和B.截止C.动态D.静态
第1题:
2、当N沟道增强型MOSFET的栅源电压大于开启电压,栅漏电压小于开启电压时,管子工作在()区。
A.可变电阻
B.截止区
C.恒流区(饱和区)
D.不能确定
第2题:
在自偏压共源放大电路中,栅源电压是由Rd来提供的。
第3题:
要使耗尽型MOS管工作在恒流区,栅源偏压VGS可以为正、负或零。
第4题:
为了保证谐振功率放大器工作在丙类状态,晶体管基极可以加小于导通电压的正偏压或负偏压。()
第5题:
耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自偏压方式。()