下面关于几种CVD方法描述正确的是（）。 A、等离子体增强化学气相淀积（PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。 B、低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。 C、做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。 D、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。下面关于几种CVD方法描述正确的是
题目
下面关于几种CVD方法描述正确的是（）。
A、等离子体增强化学气相淀积（PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。
B、低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。
C、做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能
与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应,
所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。
D、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。
A、等离子体增强化学气相淀积（PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。
B、低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。
C、做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。
D、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。
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第1题：
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
正确答案: 反应室类型热壁：反应室腔壁与硅片及支撑件同时加热。一般为电阻丝加热，可精确控制反应腔温度和均匀性。适合对温度控制要求苛刻的化学反应控制淀积系统，腔内各处都发生薄膜生长。冷壁：仅对硅片和支撑件加热，一般采用辐照加热和射频加热，升降温快速，但温度均匀性差，适合对温度要求不高的质量输运控制。冷壁系统能够降低在侧壁上的淀积，减小了反应剂的损耗，也减小壁上颗粒剥离对淀积薄膜质量的影响。 -
第2题：
物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。
正确答案: 物理气相淀积：蒸发Evaporation、溅射Sputtering热蒸发法：在真空条件下，加热蒸发源，使原子或分子从蒸发源表面逸出，形成蒸气流并入射到衬底表面，凝结形成固态薄膜。溅射概念与机理：基本原理，真空腔中有一个平行板等离子体反应器，非常类似于简单的反应离子刻蚀系统。
将靶材放置在具有最大离子电流的电极上，高能离子将所要淀积的材料从靶材中轰击出来。靶与晶圆片相距十分近（小于10cm），出射原子大部分能被晶圆所收集。 -
第3题：
损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。
- A、能量淀积
- B、动量淀积
- C、能量振荡
- D、动量振荡
正确答案:A -
第4题：
淀积黏粒胶膜
正确答案: 黏粒淋移淀积形成的胶膜。 -
第5题：
名词解释题化学气相淀积正确答案： 一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。解析： 暂无解析 -
第6题：
问答题简述化学气相淀积的概念？正确答案： 化学气相淀积（CVD）是通过混合气体的化学反应生成固体反应物并使其淀积在硅片表面形成薄膜的工艺。反应产生的其他副产物为挥发性气体，离开硅片表面并被抽出反应腔。硅片表面及其邻近的区域被加热以向反应系统提供附加的能量。解析： 暂无解析 -
第7题：
单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。 1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。A1、2
B2、4
C1、4
D1、2、4
E1、2、3、4
正确答案： E解析： 暂无解析 -
第8题：
判断题CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第9题：
判断题在LPCVD中，由于hG>>kS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是表面反应速率控制A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第10题：
判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第11题：
名词解释题物理气相淀积（pvd）正确答案： 利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底表面上，并淀积成薄膜。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比，优点有？正确答案： ①晶体生长或成膜的质量好；②淀积温度低，便于控制；③可使淀积衬底的表面积扩大，提高淀积效率。解析： 暂无解析 -
第13题：
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
正确答案: CVD过程包括两个部分：一、反应剂在边界层中的输运二、反应剂在衬底表面的化学反应 存在两种极限情况：①hg>>ks，Cs趋于Cg，淀积速率受表面化学反应速率控制。反应剂数量：主气流输运到硅片表面的﹥表面化学反应所需要的②hg< -
第14题：
二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
正确答案:氧化；气相 -
第15题：
淀积粘化
正确答案: 由上部土层淋洗迁移而来的次生粘土矿物过程，称为淀积粘化。在淋溶作用较强的地区则兼有残积粘化和淀积粘化的双重作用。 -
第16题：
有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？
正确答案: 常压化学气相淀积（APCVD.，
低压化学气相淀积（LPCVD.，
等离子体辅助CVD。 -
第17题：
问答题化学气象淀积是什么？正确答案： 通过气态物质的化学反应，wafer表面淀积一层固态薄膜材料的工艺解析： 暂无解析 -
第18题：
判断题在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第19题：
判断题LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第20题：
判断题在LPCVD中，由于hG>>kS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是质量转移控制A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题化学气相淀积（CVD）的概念，有哪五种基本化学反应？正确答案： （1）高温分解：通常在无氧的条件下，通过加热化合物分解
（2）光分解：利用辐射使化合物的化学键断裂分解
（3）还原反应：反应物分子和氢发生的反应
（4）氧化反应：反应物原子或分子和氧发生的反应
（5）氧化还原反应：还原反应和氧化反应的组合，反应后形成两种新的化合物解析： 暂无解析 -
第22题：
填空题缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。正确答案： 等离子体增强化学气相淀积,低压化学气相淀积,常压化学气相淀积解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题化学气相淀积薄膜的生长过程是怎样的？正确答案： （1）参加反应的气体混合物被输运到沉积区；
（2）反应物由主气流扩散到衬底表面；
（3）反应物分钟吸附在衬底表面上；
（4）吸附物分子间或吸附分子与气体分子间发生化学反应，生成原子和化学反应副产物，原子沿衬底表面迁移并形成薄膜；
（5）反应副产物分子从衬底表面解吸。解析： 暂无解析 -
第24题：
问答题为溅射做一个简短的解释，并描述它的工作方式？溅射适合于合金淀积吗？溅射淀积的优点是什么？正确答案： 溅射是物理气相淀积形式之一，是一种薄膜淀积技术。
工作方式：在溅射过程中，高能粒子撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞 击出原子。这些被撞击出的原子穿过真空，最后淀积在硅片上。
优点：
1.具有淀积并保持复杂合金原组分的能力。
2.能够淀积高温熔化和难溶金属。
3.能够在直径为200毫米或更大的硅片上控制淀积均匀薄膜。
4.具有多腔集成设备，能够在淀积金属前清除硅片表面沾污和本身的氧化层。解析： 暂无解析