低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?

题目
低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?

相似考题

1.2、PECVD 的含义是A．低压化学气相淀积B．常压化学气相淀积C．等离子体增强化学气相淀积D．光化学气相淀积

2.下面关于几种CVD方法的描述正确的是（）。 A、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜 B、等离子体增强化学气相淀积（PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。 C、低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。 D、做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能
与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应,
所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。下面关于几种CVD方法的描述正确的是（）。A、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜B、等离子体增强化学气相淀积（PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。C、低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。D、做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能
与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应,
所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。

3.下面关于几种CVD方法描述正确的是（）。 A、等离子体增强化学气相淀积（PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。 B、低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。 C、做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能
与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应,
所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。 D、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。下面关于几种CVD方法描述正确的是（）。A、等离子体增强化学气相淀积（PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。B、低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。C、做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能
与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应,
所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。D、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。

4.常见的化学气相淀积方法有A．APCVDB．LPCVDC．PECVDD．HDPCVD

更多“低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有? ”相关问题

  • 第1题：

    PECVD的含义是

    A．光化学气相淀积

    B．等离子体增强化学气相淀积

    C．低压化学气相淀积

    D．常压化学气相淀积


    正确

  • 第2题：

    通过气态物质的化学反应在晶圆表面淀积一层固态薄膜的工艺称为（）。

    A．化学气相淀积

    B．物理气相淀积

    C．等离子淀积

    D．热氧化


    化学气相淀积

  • 第3题：

    1、通过气态物质的化学反应在晶圆表面淀积一层固态薄膜的工艺称为（）。

    A．化学气相淀积

    B．物理气相淀积

    C．等离子淀积

    D．热氧化


    化学气相淀积

  • 第4题：

    常见的化学气相淀积方法有： 。

    A．APCVD

    B．LPCVD

    C．PECVD

    D．HDPCVD


    APCVD;LPCVD;PECVD;HDPCVD

  • 第5题：

    1、LPCVD的含义是

    A．低压化学气相淀积

    B．常压化学气相淀积

    C．等离子体化学气相淀积

    D．光化学气相淀积


    正确

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