2、PECVD 的含义是A.低压化学气相淀积B.常压化学气相淀积C.等离子体增强化学气相淀积D.光化学气相淀积

题目

2、PECVD 的含义是

A.低压化学气相淀积

B.常压化学气相淀积

C.等离子体增强化学气相淀积

D.光化学气相淀积


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  • 第1题:

    对下列语句正确的描述是( )。 const int *x; int *const x;

    A.语句1的含义是指针变量x不能更改

    B.语句2的含义是指针变量x所指向的值不能更改

    C.语句2的含义是指针变量x不能更改

    D.语句1和语句2含义是相同的


    正确答案:C
    解析:语句1的含义是指针变量x所指向的地址的值不能更改。但是指针变量x的值可以进行修改。

  • 第2题:

    二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。


    正确答案:氧化;气相

  • 第3题:

    简述PECVD设备的特点。


    正确答案:P.ECVD设备的优点:
    1)可以大面积均匀成膜、生长性好、能在较低的温度下形成致密的薄膜;
    2)可防止热产生的损伤及相互材料的扩散;
    3)可生长需要低温成膜及及反应速度慢的薄膜;
    4)设备内的平行电极方便实现大面积化。

  • 第4题:

    P2DR的含义是:()、()、()、()。


    正确答案:策略、保护、探测、反应

  • 第5题:

    EDTA-NA2的中文含义是()。


    正确答案:乙二胺四乙酸二钠

  • 第6题:

    体育与健康“2+1”工程中,2+1的含义是()和()。


    正确答案:掌握2项运动技能;1项艺术特长

  • 第7题:

    填空题
    PECVD所采用的等离子种类有()。

    正确答案: 辉光放电等离子体、射频等离子体、电弧等离子体
    解析: 暂无解析

  • 第8题:

    填空题
    FX2N系列PLC中ANI含义是(),OR含义是(),LDI含义是(),C含义是(),ANB含义是()。

    正确答案: 串联单一常闭触点,或常开,取常闭,计数,块与
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    填空题
    FX2N系列PLC中AND含义是与常开,ORI含义是(),LD含义是取常开,T含义是()。

    正确答案: 或常闭,定时器
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    填空题
    缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是()、()、高密度等离子体化学气相淀积和()。

    正确答案: 等离子体增强化学气相淀积,低压化学气相淀积,常压化学气相淀积
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    问答题
    PECVD的机理?PECVD有何优势?

    正确答案: 机理:等离子体由中性原子团、游离基、分子、离子、少量高能电子组成。
    优势:可以较低温度下淀积薄膜,常是低温与低压结合
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    名词解释题
    PECVD(等离子增强CVD)

    正确答案: RF激活气体分子(等离子体),使其在低温(室温)下发生化学反应,淀积成膜。
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    对下列语句正确的描述是( )。 const int*x; //(1) int*const X; //(2)

    A.语句(1)的含义是指针变量x不能更改

    B.语句(2)的含义是指针变量x所指向的不能更改

    C.语句(2)的含义是指针变量x不能更改

    D.语句(1)和(2)是相同含义的不同定义方式


    正确答案:C

  • 第14题:

    简述PECVD薄膜沉积的原理。


    正确答案:薄膜的沉积原理包括三个基本的过程:
    1)等离子体反应,是指等离子体通过与具有能量的电子、离子或者基团等粒子碰撞,使通入到反应室中的气体分子分解的过程。其中等离子体包括自由基、原子和分子等中性粒子,以及离子和电子等非中性粒子。
    2)输送粒子到基板表面,等离子体产生的粒子以扩散方式或离子加速的形式输运到基板表面。中性粒子受浓度梯度的驱动以扩散方式输运到基板表面,阳离子受等离子和基板间的电位差驱动而离子加速运动到基板表面。
    3)在表面发生反应,当粒子达到基板表面时,通过一系列吸附、迁移、反应,以及中间产物的解吸附过程形成要沉积的薄膜。衬底温度对每一步都是致关重要的。

  • 第15题:

    电池片局部点较正常情况下更亮,此现象为()

    • A、PECVD反
    • B、亮斑
    • C、灰斑
    • D、绒丝

    正确答案:B

  • 第16题:

    简述太阳能电池片制造PECVD的目的及原理?


    正确答案:目的:在太阳电池表面沉积深蓝色减反膜-SiN膜。
    P.ECVD技术原理:是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。

  • 第17题:

    YB132-S2-2中,Y的含义是()异步电动机,B的含义是()


    正确答案:交流;隔爆式

  • 第18题:

    某旋风预热器的符号写成2-1-1-1-1是什么含义?2-2-2-2-2又是什么含义?


    正确答案:单列,一级有2个旋风筒,其余各级均有1个;
    双列,各级都有2个旋风筒。

  • 第19题:

    判断题
    LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃,采用增强的等离子体,增加淀积能量,即低压和低温。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第20题:

    问答题
    APCVD、LPCVD、PECVD和HDPCVD中文名称分别是?

    正确答案: 常压化学气相淀积、低压化学气相淀积、等离子增强化学气相淀积和高密度等离子体化学气相淀积
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    填空题
    EDTA-NA2的中文含义是()。

    正确答案: 乙二胺四乙酸二钠
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    问答题
    薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢,因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜,而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜?

    正确答案: PECVD氮化硅薄膜含H、质地疏松,抗KOH水溶液中的腐蚀性能差。可通过高温退火,使H逸出,薄膜致密化,从而提高抗腐蚀性,就能作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜。退火温度约800℃,20min,即LPCVD氮化硅工艺温度。如效果不理想,可升温延长时间。
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    单选题
    “PECVD”中文表述是()。
    A

    脉冲激光沉积

    B

    金属有机化学气相沉积

    C

    溅射

    D

    等离子体增强化学气相沉积


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    问答题
    简述太阳能电池片制造PECVD的目的及原理?

    正确答案: 目的:在太阳电池表面沉积深蓝色减反膜-SiN膜。
    P.ECVD技术原理:是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。
    解析: 暂无解析