更多“热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。”相关问题
  • 第1题:

    二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。


    正确答案:氧化;气相

  • 第2题:

    动植物残体全部分解,与土壤颗粒紧密结合形成黑色或暗色土层称为()。

    • A、覆盖层
    • B、腐殖质层
    • C、灰化层
    • D、淀积层

    正确答案:B

  • 第3题:

    淋溶(eluviation)与淀积(illuviation)过程


    正确答案: 淋溶:在雨水天然下渗或人工灌溉,上方土层中的某些矿物盐类或有机物质溶解并转移到下方土层中的过程。有时入渗水因呈酸性,可将土壤中的石灰质等可溶盐类溶解转移,而一些较难移动的氧化铁质与黏土等则被冲积在土壤剖面的B层当中。
    淀积:指土壤水下渗至剖面下层沉淀其中某些溶解物或悬浮物的过程

  • 第4题:

    腐殖质淀积层


    正确答案: 由腐殖质淀积形成的暗色土层。

  • 第5题:

    有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法?


    正确答案: 常压化学气相淀积(APCVD.,
    低压化学气相淀积(LPCVD.,
    等离子体辅助CVD。

  • 第6题:

    判断题
    在一个化学气相淀积工艺中,如果淀积速率是反应速率控制的,则为了显著增大淀积速率,应该增大反应气体流量。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第7题:

    判断题
    在LPCVD中,由于hG>>kS,即质量转移系数远大于表面反应速率常数,所以,LPCVD系统中,淀积过程主要是表面反应速率控制
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第8题:

    判断题
    LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的,APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    问答题
    物理气相淀积主要有哪三种技术?

    正确答案: 蒸镀、溅射、分子束外延生长
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    问答题
    低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?

    正确答案: ①晶体生长或成膜的质量好;②淀积温度低,便于控制;③可使淀积衬底的表面积扩大,提高淀积效率。
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    问答题
    简述化学气相淀积的概念?

    正确答案: 化学气相淀积(CVD)是通过混合气体的化学反应生成固体反应物并使其淀积在硅片表面形成薄膜的工艺。反应产生的其他副产物为挥发性气体,离开硅片表面并被抽出反应腔。硅片表面及其邻近的区域被加热以向反应系统提供附加的能量。
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    问答题
    化学气象淀积是什么?

    正确答案: 通过气态物质的化学反应,wafer表面淀积一层固态薄膜材料的工艺
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    损伤的分布与注入离子在在靶内的()的分布密切相关。

    • A、能量淀积
    • B、动量淀积
    • C、能量振荡
    • D、动量振荡

    正确答案:A

  • 第14题:

    淀积粘化


    正确答案: 由上部土层淋洗迁移而来的次生粘土矿物过程,称为淀积粘化。在淋溶作用较强的地区则兼有残积粘化和淀积粘化的双重作用。

  • 第15题:

    淀积黏粒胶膜


    正确答案: 黏粒淋移淀积形成的胶膜。

  • 第16题:

    低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便,但膜不够致密,耐潮性和抗离子沾污能力较差。()


    正确答案:正确

  • 第17题:

    名词解释题
    化学气相淀积

    正确答案: 一种或数种物质的气体,以某种方式激活后,在衬底发生化学反应,并淀积出所需固体薄膜的生长技术。
    解析: 暂无解析

  • 第18题:

    单选题
    化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较,下面哪些说法是正确的:()。  1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长; 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上; 3.CVD SiO2,衬底硅不参加反应; 4.CVD SiO2,温度低。
    A

    1、2

    B

    2、4

    C

    1、4

    D

    1、2、4

    E

    1、2、3、4


    正确答案: E
    解析: 暂无解析

  • 第19题:

    问答题
    化学气相淀积(CVD)的概念,有哪五种基本化学反应?

    正确答案: (1)高温分解:通常在无氧的条件下,通过加热化合物分解
    (2)光分解:利用辐射使化合物的化学键断裂分解
    (3)还原反应:反应物分子和氢发生的反应
    (4)氧化反应:反应物原子或分子和氧发生的反应
    (5)氧化还原反应:还原反应和氧化反应的组合,反应后形成两种新的化合物
    解析: 暂无解析

  • 第20题:

    填空题
    缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是()、()、高密度等离子体化学气相淀积和()。

    正确答案: 等离子体增强化学气相淀积,低压化学气相淀积,常压化学气相淀积
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  • 第21题:

    名词解释题
    物理气相淀积(pvd)

    正确答案: 利用某种物理过程,例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移,即原子或分子由源转移到衬底表面上,并淀积成薄膜。
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  • 第22题:

    问答题
    化学气相淀积薄膜的生长过程是怎样的?

    正确答案: (1)参加反应的气体混合物被输运到沉积区;
    (2)反应物由主气流扩散到衬底表面;
    (3)反应物分钟吸附在衬底表面上;
    (4)吸附物分子间或吸附分子与气体分子间发生化学反应,生成原子和化学反应副产物,原子沿衬底表面迁移并形成薄膜;
    (5)反应副产物分子从衬底表面解吸。
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    名词解释题
    预淀积

    正确答案: 与扩散实在较低温度下,采用恒定表面源扩散方式,在硅片表面扩散一层数量一定按余误差函数形式分布的杂质,由于温度较低,且时间较短,杂质的扩散很浅,可认为杂质是均匀分布在一薄层内目的是控制扩散杂质的数量。
    解析: 暂无解析