离子注入
题目
离子注入
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第1题：
问答题例举离子注入设备的5个主要子系统。正确答案： （1）离子源：待注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。注入离子在离子源中产生
（2）引出电极（吸极）和离子分析器：传统注入机吸极系统收集离子源中产生的所有正离子并使它们形成粒子束，离子通过离子源上的一个窄缝得到吸收。
（3）加速管：为了获得更高的速度，出了分析器磁铁，正离子还要再加速管中的电场下进行加速
（4）扫描系统扫描在剂量的统一性和重复性方面起着关键租用。
（5）工艺室------离子束向硅片的注入发生在工艺腔中。解析： 暂无解析 -
第2题：
问答题离子注入后退火的作用是什么？正确答案： 作用是激活注入的离子，恢复迁移率及其他材料参数。解析： 暂无解析 -
第3题：
问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？正确答案： 扩散杂质所形成的浓度分布：杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单调下降，而杂质分布主要是由温度与扩散时间来决定。离子注入杂质所形成的浓度分布：掺杂离子以离子束的形式注入半导体内，杂质浓度在半导体内有个峰值分布，杂质分布主要由离子质量和注入能量决定。
（1）.离子注入掺杂的优势：相对于扩散工艺，离子注入的主要好处在于能更正确地控制掺杂原子数目、掺杂深度、横向扩散效应小和较低的工艺温度，较低的温度适合对化合物半导体进行掺杂，因为高温下化合物的组分可能发生变化，另外，较低的温度也使得二氧化硅、氮化硅、铝、光刻胶、多晶硅等都可以用作选择掺杂的掩蔽膜，热扩散方法的掩膜必须是耐高温材料。
（2）离子注入掺杂的缺点：主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损伤。因此，后续的退化处理用来去除这些损伤。解析： 暂无解析 -
第4题：
填空题离子注入系统结构一般包括（）等部分。正确答案： 离子源、磁分析器、加速管、聚焦和扫描系统、靶室解析： 暂无解析 -
第5题：
单选题离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（）A离子注入
B热扩散
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第6题：
问答题简述部分离子注入工艺的作用。正确答案： ①深埋层注入：高能（大于200KEV）离子注入，深埋层的作用：减小衬底横向寄生电阻，控制CMOS的闩锁效应。
②倒掺杂阱注入：高能量离子注入使阱中较深处杂质浓度较大，倒掺杂阱改进CMOS器件的抗闩锁和穿通能力。
③穿通阻挡层注入：作用：防止亚微米及以下的短沟道器件源漏穿通，保证源漏耐压。
④轻掺杂漏区（LDD）注入：减小最大电场，增强抗击穿和热载流子能力。
⑤超浅结注入：大束流低能注入。作用：抑制短沟道效应。解析： 暂无解析 -
第7题：
问答题离子注入表面改性正确答案： 氮离子注入（单一气体注入），等离子源离子注入，离子辅助镀膜等。目的是制备金属成形刀具、模具耐磨硬质涂层解析： 暂无解析 -
第8题：
问答题离子注入后为何退火？正确答案： 因为大部分注入的离子并不是以替位形式处在晶格点阵位置上，而是处于间隙位置，无电活性，一般不能提供导电性能，所以离子注入后要退火。解析： 暂无解析 -
第9题：
名词解释题离子注入正确答案： 离子束射到固体材料以后，受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来，并最终停留在固体材料中，这一现象就叫做离子注入。解析： 暂无解析 -
第10题：
判断题离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题简述离子注入退火目的与方法。正确答案： 工艺目的：消除晶格损伤，并且使注入的杂质转入替位位置从而实现电激活。
①高温热退火
通常的退火温度：＞950℃，时间：30分钟左右
缺点：高温会导致杂质的再分布。
②快速热退火
采用RTP，在较短的时间（10-3～10-2秒）内完成退火。
优点：杂质浓度分布基本不发生变化。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？正确答案： 氧化层保护表面免污染，免注入损伤，控制注入温度。解析： 暂无解析 -
第13题：
问答题为何在离子注入后， 需要热处理（ Thermal Anneal）的工艺？正确答案： ①为恢复经离子注入后造成的芯片表面损伤；
②使注入离子扩散至适当的深度；
③使注入离子移动到适当的晶格位置。解析： 暂无解析