问答题简述离子注入的优缺点
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简述离子注入的优缺点
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第1题：
离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。
- A、能量
- B、剂量
正确答案:A -
第2题：
简述播种造林的优缺点？植苗造林的优缺点？
正确答案: 1）播种造林
优点：有利于形成自然、匀称、完整的根系分布，幼树对环境的适应能力强，多棵种苗形成群体，可淘劣留优，技术简单，节约劳力，成本低。
缺点：种子发芽要求较好的立地条件，干旱、高温、寒冷、霜冻、风沙、灌木杂草茂盛的地方不易成功，用种量大限制应用范围，易遭受鸟兽危害，抚育费用高。
2）植苗造林
优点：栽植完整的植株，对不良环境的抵抗能力较强；比播种造林方法营造的人工林郁闭早、初期生长快、用种量小，在水土流失严重、干旱的地方造林成功率高。
缺点：育苗工序庞杂，起苗时苗木的根系受损伤，要经过缓苗期，且影响成活，造林费工。 -
第3题：
问答题简述离子注入机的各部分工作原理？正确答案： 离子注入机主要由离子源、分析磁体、加速聚焦器、扫描偏转系统、靶室及终端台和真空系统6大部分组成。
1）离子源的目的是把要注入的杂质原子电离成为离子，形成注入离子束，并具有一定动能（速度）的正离子束。
2）磁分析器 就是根据不同离子其运动半径不同的原理，将不同的离子一一分离开来。
3）加速聚焦器： 离子源的吸极最高负压一般不能达到注入离子能量的要求，如果需要
更高的能量就必须再添加高压进行第二次的加速，完成此功能的就是后加速器。
4）扫描偏转系统： 要使整个硅片表面都能均匀地注入离子，需要束流对硅片进行扫描，对靶片进行大面积离子注入，使整个靶片得到均匀的杂质离子分布。
5）靶室及终端台：让离子束流能注入进去 监测注入的离子数量。
6）真空系统：一般用真空泵和闭合的抽气系统来实现。解析： 暂无解析 -
第4题：
问答题简述部分离子注入工艺的作用。正确答案： ①深埋层注入：高能（大于200KEV）离子注入，深埋层的作用：减小衬底横向寄生电阻，控制CMOS的闩锁效应。
②倒掺杂阱注入：高能量离子注入使阱中较深处杂质浓度较大，倒掺杂阱改进CMOS器件的抗闩锁和穿通能力。
③穿通阻挡层注入：作用：防止亚微米及以下的短沟道器件源漏穿通，保证源漏耐压。
④轻掺杂漏区（LDD）注入：减小最大电场，增强抗击穿和热载流子能力。
⑤超浅结注入：大束流低能注入。作用：抑制短沟道效应。解析： 暂无解析 -
第5题：
问答题简述离子注入设备的主要组成部分正确答案： 气体系统、电机系统、真空系统、控制系统、射线系统、电荷中性化系统、晶圆处理系统解析： 暂无解析 -
第6题：
问答题简述离子注入的应用？正确答案： 沟道区及阱区掺杂这部分注入工艺的能量比较宽，但剂量属中低范围，所以此部分注入工艺基本上使用中束流及高能注入机。
（1）阈值电压调节注入工艺
将所需的杂质掺杂在硅中的沟道区中，把阱区的掺杂浓度调整到所需的浓度，使两者阱区的开启电压一致。 （2）反穿通注入工艺
增加沟道下部载流子浓度，降低耗尽层厚度，防止源漏两极在沟道下面导通。
（3）阱间绝缘注入工艺（Channel Stop） 将杂质掺在用于隔开阱区的绝缘栏下方，此目的是为了提高阱间寄生场效应晶体管的阈值电压，使在正常的工作情形下此寄生场效应晶体管不会被导通。
（4）埋层注入工艺（Buried Layer）
降低阱区底部的电阻，以防芯片在运行中出现死循环 （Latch-up）现象。
（5）吸取注入工艺（Gettering）
利用所注入的元素的化学特性和注入后所形成缺陷的物理特性来吸收阱区里的其他杂质（如重金属等）及晶格缺陷，以提高阱区内，尤其是沟道区内的材料质量从而提升产品性能。
（6）反型阱区注入工艺（Retrograde Well） 高性能的芯片要求硅片表面的载流子浓度低，而在硅片内部的某些部位要浓，这样既能提高芯片的运行速度，又能达到以上所述的反穿通、抑制死循环及吸取污染杂质的效果。解析： 暂无解析 -
第7题：
问答题简述离子注入工艺相对于热扩散工艺的优缺点。正确答案： 优点：①精确地控制掺杂浓度和掺杂深度；
②可以获得任意的杂质浓度分布；
③杂质浓度均匀性、重复性好；
④掺杂温度低；
⑤沾污少；
⑥无固溶度极限。
缺点：①高能杂质离子轰击硅原子将产生晶格损伤；
②注入设备复杂昂贵。解析： 暂无解析 -
第8题：
问答题简述在先进的CMOS工艺中，离子注入的应用。正确答案： ①深埋层注入；
②倒掺杂阱注入；
③穿通阻挡层注入；
④阈值电压调整注入；
⑤轻掺杂漏区（LDD）注入；
⑥源漏注入；
⑦多晶硅栅掺杂注入；
⑧沟槽电容器注入；
⑨超浅结注入；
⑩绝缘体上的硅（SOI）中的氧注入。解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题简述离子注入的通道效应和减小通道效应的方法正确答案： 通道效应：如果一个电子以正确的角度进入通道，它只需要很少的能量就可以行进很长的距离。
方法：
（1）对大的离子，沿沟道轴向（110）偏离7-10度。
（2）表面用二氧化硅掩膜。
（3）用Si，Ge，F，Ar等离子使表面预非晶化，形成非晶层。
（4）增加注入剂量（晶格损失增加，非晶层形成，沟道离子减少）。解析： 暂无解析 -
第10题：
离子注入
正确答案:离子注入：将预先选择的元素原子电离，经电场加速，获得高能量后注入工件的表面改性工艺。 -
第11题：
简述SDH的优缺点。
正确答案: 优点：
速率统一：
光接口与帧结构统一：
一步复用特性：
强大的OA.M&P能力实现了网络管理的智能化
组网灵活、网络的生存性强：
前、后向兼容。
缺点：
带宽利用率稍低. -
第12题：
问答题简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？正确答案： 对晶体进行离子注入时，当离子注入的方向与与晶体的某个晶向平行时，一些离子将沿沟道运动，受到的核阻止作用很小，而且沟道中的电子密度很低。受到的电子阻止也很小，这些离子的能量损损失率很低，注入深度就会大于无定形衬底中深度，这种现象称为沟道效应。
沟道效应的存在，使得离子注入的浓度很难精确控制，因为它会使离子注入的分布产生一个很厂的拖尾，偏离预计的高斯分布规律。
沟道效应降低的技巧：
（1）、覆盖一层非晶体的表面层、将硅晶片转向或在硅晶片表面制造一个损伤的表层。
（2）、将硅晶片偏离主平面5-10度，也能有防止离子进入沟道的效果。
（3）、先注入大量硅或锗原子以破坏硅晶片表面，可在硅晶片表面产生一个随机层。解析： 暂无解析 -
第13题：
问答题简述离子注入原理正确答案： 离子注入是将被掺杂的杂质原子或分子进行离子化，经磁场选择和电场加速到一定的能量，形成一定电流密度的离子束流后被直接打进（扫描注入）半导体晶圆内部去。
具有一定动能的离子射进硅片内部后，由于硅片内原子核和电子的不规则作用，以及和硅原子多次的碰撞，而使得注入的离子能量逐渐受到消耗，离子注入速度减慢，在硅片内部移动到一定的距离就停止在硅片内某一位臵上，形成PN结。解析： 暂无解析 -
第14题：
问答题简述播种造林的优缺点？植苗造林的优缺点？正确答案： 1）播种造林
优点：有利于形成自然、匀称、完整的根系分布，幼树对环境的适应能力强，多棵种苗形成群体，可淘劣留优，技术简单，节约劳力，成本低。
缺点：种子发芽要求较好的立地条件，干旱、高温、寒冷、霜冻、风沙、灌木杂草茂盛的地方不易成功，用种量大限制应用范围，易遭受鸟兽危害，抚育费用高。
2）植苗造林
优点：栽植完整的植株，对不良环境的抵抗能力较强；比播种造林方法营造的人工林郁闭早、初期生长快、用种量小，在水土流失严重、干旱的地方造林成功率高。
缺点：育苗工序庞杂，起苗时苗木的根系受损伤，要经过缓苗期，且影响成活，造林费工。解析： 暂无解析 -
第15题：
问答题简述离子注入退火目的与方法。正确答案： 工艺目的：消除晶格损伤，并且使注入的杂质转入替位位置从而实现电激活。
①高温热退火
通常的退火温度：＞950℃，时间：30分钟左右
缺点：高温会导致杂质的再分布。
②快速热退火
采用RTP，在较短的时间（10-3～10-2秒）内完成退火。
优点：杂质浓度分布基本不发生变化。解析： 暂无解析 -
第16题：
单选题离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（）A离子注入
B热扩散
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第17题：
问答题简述离子注入工艺在元器件中的应用正确答案： （1）阱区注入。
（2）对重度阱区注入，抑制结击穿效应。
（3）调整阈值电压。
（4）多晶硅掺杂降低电阻系数。
（5）扩散阻挡层的离子注入。
（6）LDD注入抑制热电子效应。
（7）源/漏极注入使源/漏极与多晶硅栅正下方的沟道分开以抑制热电子效应。
（8）沟道终止注入形成P型掺杂隔离区。解析： 暂无解析