二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用？
题目
二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用？
相似考题
参考答案和解析
正确答案:①器件保护（避免划伤和污染），因sio2致密；
②表面钝化（饱和悬挂键，降低界面态；需一定厚度，降低漏电流等）；
③用作绝缘介质和隔离（LOCOS，STI）如：隔离（如场氧，需要一定的厚度）；
④绝缘栅（膜厚均匀，无电荷和杂质，需干氧氧化）、多层布线绝缘层、电容介质等；
⑤选择性扩散掺杂的掩膜。
②表面钝化（饱和悬挂键，降低界面态；需一定厚度，降低漏电流等）；
③用作绝缘介质和隔离（LOCOS，STI）如：隔离（如场氧，需要一定的厚度）；
④绝缘栅（膜厚均匀，无电荷和杂质，需干氧氧化）、多层布线绝缘层、电容介质等；
⑤选择性扩散掺杂的掩膜。
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第1题：
二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。
- A、电
- B、磁
- C、光
- D、热
正确答案:C -
第2题：
磁光盘记录信息的载体是（）
- A、磁铁
- B、磁光薄膜
- C、染料
- D、集成电路
正确答案:B -
第3题：
按制造工艺集成电路分为（）。
- A、半导体集成电路
- B、TTL集成电路
- C、厚膜集成电路
- D、薄膜集成电路
- E、CMOS集成电路
正确答案:A,C,D -
第4题：
改善塑料薄膜的印刷适性主要有哪些措施？分别具有怎样的原理？
正确答案: 等离子处理：等离子体是电离了的气体。通过放电装置将电离的等离子体中的电子或离子打到承印物表面，一方面，可以打开材料的长分子链，出现高能基团；另一方面，经打击使薄膜表面出现细小的针孔，同时还可使表面杂质离解、重解。电离时放出的臭氧有强氧化性，附着的杂质被氧化而除去，使承印物表面自由能提高，达到改善印刷性能的目的。
电晕处理：电晕处理实际上是等离子处理的一种，是低密度的等离子处理。利用高频（中频）高压电源，在放电刀架和刀片的间隙产生一种电晕释放现象，用这种方法对塑料薄膜在印刷前进行表面处理，叫电晕
处理，也称电子冲击或电火花处理。
化学处理：印刷前利用氧化剂对pp、pe塑料薄膜的表面进行处理，使其表面生成羟基、羰基等极性集团，同时得到一定程度的粗化，以提高油墨与塑料薄膜的表面结合牢度。
光化学处理：一般是利用紫外线照射高聚物表面，使其引起化学变化，达到改善表面张力，提高润湿性和粘合性的目的。和电晕处理一样，紫外线照射也能使高聚物表面发生裂解、交联和氧化。
涂层处理：涂层处理法是在薄膜上涂以特定的涂料，以改变其表面吸附性能。（火焰处理法：适用于小型塑料容器的表面处理，其目的在于用高温使表面去污，并溶化膜层表面，提高表面粘附油墨的性能。） -
第5题：
在冷库中应用塑料薄膜封闭贮藏应注意的问题
正确答案: 可以获得控制温度、湿度、气体条件的综合效果，成本较低，生产中使用广泛。但在具体使用中，由于：产品所处库内位置不同、呼吸热释放慢造成内温度高，从而易造成结露，引起腐烂。
解决方法：
（1）产品在封闭前要充分预冷。
（2）力求库温恒定，尽量减少封闭系统内外的温差。
（3）封闭系统内不要堆积太紧密，要有较大的自由通风空隙。 -
第6题：
判断题半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定形二氧化硅。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第7题：
问答题改善塑料薄膜的印刷适性主要有哪些措施？分别具有怎样的原理？正确答案： 等离子处理：等离子体是电离了的气体。通过放电装置将电离的等离子体中的电子或离子打到承印物表面，一方面，可以打开材料的长分子链，出现高能基团；另一方面，经打击使薄膜表面出现细小的针孔，同时还可使表面杂质离解、重解。电离时放出的臭氧有强氧化性，附着的杂质被氧化而除去，使承印物表面自由能提高，达到改善印刷性能的目的。
电晕处理：电晕处理实际上是等离子处理的一种，是低密度的等离子处理。利用高频（中频）高压电源，在放电刀架和刀片的间隙产生一种电晕释放现象，用这种方法对塑料薄膜在印刷前进行表面处理，叫电晕
处理，也称电子冲击或电火花处理。
化学处理：印刷前利用氧化剂对pp、pe塑料薄膜的表面进行处理，使其表面生成羟基、羰基等极性集团，同时得到一定程度的粗化，以提高油墨与塑料薄膜的表面结合牢度。
光化学处理：一般是利用紫外线照射高聚物表面，使其引起化学变化，达到改善表面张力，提高润湿性和粘合性的目的。和电晕处理一样，紫外线照射也能使高聚物表面发生裂解、交联和氧化。
涂层处理：涂层处理法是在薄膜上涂以特定的涂料，以改变其表面吸附性能。（火焰处理法：适用于小型塑料容器的表面处理，其目的在于用高温使表面去污，并溶化膜层表面，提高表面粘附油墨的性能。）解析： 暂无解析 -
第8题：
单选题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些（） ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数 ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数 ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度 ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A②④
B①③
C①④
D②③
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第9题：
填空题用C-V测试可以测定二氧化硅薄膜的：（）正确答案： 界面态密度、可动电荷密度和固定电荷密度解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题二氧化硅膜在集成电路中有哪些用途？正确答案： 掩蔽杂质、作为栅氧化层、表面钝化和保护、介质隔离、绝缘介质等作用解析： 暂无解析 -
第11题：
填空题三种薄膜蒸发器中（）薄膜蒸发器目前应用范围较广正确答案： 刮板式解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题简述集成电路对薄膜的要求。正确答案： ①好的台阶覆盖能力；
②填充高深宽比间隙的能力；
③好的厚度均匀性；
④高纯度和高密度；
⑤受控制的化学剂量；
⑥高度的结构完整性和低的应力；
⑦好的电学特性；
⑧对衬底材料或下层膜有好的粘附性。解析： 暂无解析 -
第13题：
干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。
- A、生长出的二氧化硅中引入很多可动离子
- B、氧化的速度慢
- C、生长的二氧化硅缺陷多
- D、生长的二氧化硅薄膜钝化效果差
正确答案:B -
第14题：
按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和（）集成电路。
- A、数字
- B、厚膜
- C、小规模
- D、专用
正确答案:B -
第15题：
集成电路按照制造工艺可分为（）。
- A、半导体集成电路
- B、薄膜集成电路
- C、数字集成电路
- D、厚膜集成电路
正确答案:A,B,D -
第16题：
三种薄膜蒸发器中（）薄膜蒸发器目前应用范围较广
正确答案:刮板式 -
第17题：
由厚膜或薄膜电阻与集成的单片芯片或分立元件组装而成的集成电路调节器为（）。
- A、混合集成电路调节器
- B、全集成电路调节器
- C、半集成电路调节器
- D、普通集成电路调节器
正确答案:A -
第18题：
单选题半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于（）。A结晶形二氧化硅
B无定形二氧化硅
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第19题：
填空题集成电路金属薄膜的沉积通常采用（）正确答案： 溅射物理气相沉积解析： 暂无解析 -
第20题：
多选题采用二氧化硅薄膜作为栅极氧化层，是利用其具有的（）A高电阻率；
B高化学稳定性；
C低介电常数；
D高介电强度。
正确答案： D,A解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用？正确答案： ①器件保护（避免划伤和污染），因sio2致密；
②表面钝化（饱和悬挂键，降低界面态；需一定厚度，降低漏电流等）；
③用作绝缘介质和隔离（LOCOS，STI）如：隔离（如场氧，需要一定的厚度）、
④绝缘栅（膜厚均匀，无电荷和杂质，需干氧氧化）、多层布线绝缘层、电容介质等；
⑤选择性扩散掺杂的掩膜解析： 暂无解析 -
第22题：
填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料（）、（）和化合物晶体材料（）、（）；硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选（）；TTL集成电路衬底材料的晶向常选（）；常用的硅集成电路介电薄膜是（）、（）；常用的IC互连线金属材料是（）、（）。正确答案： Si,Ge,GaAs,InP,（100）,（111）,SiO2,Si3N4,Al,Cu解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢，因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜？正确答案： PECVD氮化硅薄膜含H、质地疏松，抗KOH水溶液中的腐蚀性能差。可通过高温退火，使H逸出，薄膜致密化，从而提高抗腐蚀性，就能作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜。退火温度约800℃，20min，即LPCVD氮化硅工艺温度。如效果不理想，可升温延长时间。解析： 暂无解析