干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。A、生长的二氧化硅薄膜均匀性好B、生长的二氧化硅干燥C、生长的二氧化硅结构致密D、生长的二氧化硅是很理想的钝化膜E、生长的二氧化硅掩蔽能力强

题目

干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。

  • A、生长的二氧化硅薄膜均匀性好
  • B、生长的二氧化硅干燥
  • C、生长的二氧化硅结构致密
  • D、生长的二氧化硅是很理想的钝化膜
  • E、生长的二氧化硅掩蔽能力强
相似考题

1.矿尘中对人体危害最大的成分是()。A、二氧化硅B、游离二氧化硅C、氯化钾

2.哪种类型的二氧化硅致纤维化作用最强A、游离二氧化硅B、结合二氧化硅C、结晶型游离二氧化硅D、隐晶型游离二氧化硅E、无定型游离二氧化硅

3.二氧化硅的种类及类型不同，对人体的危害作用也不同，哪一种致纤维化作用最强：（）A、非结晶型二氧化硅B、结晶型二氧化硅C、游离型二氧化硅D、结合型二氧化硅E、其它

4.下列因素中哪个与矽肺的发病直接无关A．二氧化硅含量B．结合型二氧化硅C．二氧化硅浓度D．二氧化硅分散度E．接触二氧化硅的工龄

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  • 第1题：

    二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用？


    正确答案:①器件保护（避免划伤和污染），因sio2致密；
    ②表面钝化（饱和悬挂键，降低界面态；需一定厚度，降低漏电流等）；
    ③用作绝缘介质和隔离（LOCOS，STI）如：隔离（如场氧，需要一定的厚度）；
    ④绝缘栅（膜厚均匀，无电荷和杂质，需干氧氧化）、多层布线绝缘层、电容介质等；
    ⑤选择性扩散掺杂的掩膜。

  • 第2题：

    二氧化硅膜的质量要求有（）。

    • A、薄膜表面无斑点
    • B、薄膜中的带电离子含量符合要求
    • C、薄膜表面无针孔
    • D、薄膜的厚度达到规定指标
    • E、薄膜厚度均匀，结构致密

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第3题：

    干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。

    • A、生长出的二氧化硅中引入很多可动离子
    • B、氧化的速度慢
    • C、生长的二氧化硅缺陷多
    • D、生长的二氧化硅薄膜钝化效果差

    正确答案:B

  • 第4题：

    二氧化硅的种类及类型不同，对人体的危害作用也不同，哪一种致纤维化作用最强（）.

    • A、非结晶性二氧化硅
    • B、结合型二氧化硅
    • C、结晶型二氧化硅
    • D、游离型二氧化硅

    正确答案:D

  • 第5题：

    低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便，但膜不够致密，耐潮性和抗离子沾污能力较差。（）


    正确答案:正确

  • 第6题：

    问答题
    简述干氧氧化与湿氧氧化各自的特点，通常用哪种工艺制备较厚的二氧化硅层？

    正确答案： 干氧氧化：（优）结构致密，表面平整光亮；对杂质掩蔽能力强；钝化效果好；生长均匀性、重复性好；表面对光刻胶的粘附好，（缺）生长速率非常慢。
    湿氧氧化：（优）生长速率介于干O2与水汽氧化之间；可由水温、炉温调节生长速率，工艺灵活性大；对杂质的掩蔽能力、钝化效果能满足工艺要求，（缺）表面存在羟基使其对光刻胶的粘附不好。
    通常用湿氧氧化工艺制备较厚的二氧化硅层。在实际生产中，对于制备较厚的二氧化硅层来说往往采用干氧-湿氧-干氧相结合的氧化方式，既保证了二氧化硅层表面和Si-SiO2界面的质量，有解决了生长效率的问题。
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    判断题
    半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定形二氧化硅。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    判断题
    二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    哪种类型的二氧化硅致纤维化作用最强？（　　）
    A

    游离二氧化硅

    B

    结合二氧化硅

    C

    结晶型游离二氧化硅

    D

    隐晶型游离二氧化硅

    E

    无定型游离二氧化硅


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    简述硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素。

    正确答案： ①氧化温度；
    ②氧化时间；
    ③掺杂效应：重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速率快
    ④硅片晶向：<111>硅单晶的氧化速率比<100>稍快
    ⑤反应室的压力：压力越高氧化速率越快
    ⑥氧化方式：湿氧氧化比干氧氧化速度快
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    二氧化硅的种类及类型不同，对人体的危害作用也不同，哪一种致纤维化作用最强（）.
    A

    非结晶性二氧化硅

    B

    结合型二氧化硅

    C

    结晶型二氧化硅

    D

    游离型二氧化硅


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    二氧化硅的种类及类型不同，对人体的危害作用也不同，哪一种致纤维化作用最强：（）
    A

    非结晶型二氧化硅

    B

    结晶型二氧化硅

    C

    游离型二氧化硅

    D

    结合型二氧化硅

    E

    其它


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。

    • A、干氧氧化
    • B、湿氧氧化
    • C、水汽氧化
    • D、与氧化方法无关

    正确答案:A

  • 第14题：

    二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。

    • A、降低
    • B、增加
    • C、不变
    • D、先降低后增加

    正确答案:A

  • 第15题：

    球团矿的碱度是指球团矿中（）的比值。

    • A、二氧化硅含量与氧化钙含量
    • B、氧化钙含量与二氧化硅含量
    • C、二氧化硅含量与氧化镁含量
    • D、氧化镁含量二氧化硅与含量

    正确答案:B

  • 第16题：

    离子交换器排水装置垫层的石英砂质量要求是（）。

    • A、二氧化硅含量在95%以上
    • B、二氧化硅含量在9%以上
    • C、二氧化硅含量在90%以上
    • D、二氧化硅含量在50%以上

    正确答案:B

  • 第17题：

    随着石料中二氧化硅含量提高，石料与沥青的粘附性（）。酸性石料中二氧化硅含量（），与沥青的粘附性（）。碱性石料中二氧化硅含量（），与沥青的粘附性（）。粘附性试验室内采用（）和（）。


    正确答案:降低，>65%，差，<52%，好，水煮法，G水浸法

  • 第18题：

    判断题
    在热氧化过程的初始阶段，二氧化硅的生长速率由氧化剂通过二氧化硅层的扩散速率决定，处于线性氧化阶段。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    单选题
    半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于（）。
    A

    结晶形二氧化硅

    B

    无定形二氧化硅


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    单选题
    哪种二氧化硅致纤维化作用最强？（　　）
    A

    游离二氧化硅

    B

    结合二氧化硅

    C

    结晶型游离二氧化硅

    D

    无定型游离二氧化硅

    E

    隐晶型游离二氧化硅


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    下列因素中与矽肺的发病无直接关系的是（　　）。
    A

    二氧化硅含量

    B

    二氧化硅类型

    C

    上述粉尘浓度

    D

    结晶二氧化硅

    E

    接触上述粉尘的工龄


    正确答案： D
    解析： 影响矽肺发病的因素有粉尘中游离二氧化硅的类型、含量，粉尘浓度，接触时间等。

  • 第22题：

    单选题
    二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些（）      ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数  ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数  ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度  ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度
    A

    ②④

    B

    ①③

    C

    ①④

    D

    ②③


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    离子交换器排水装置垫层的石英砂质量要求是（）。
    A

    二氧化硅含量在95%以上

    B

    二氧化硅含量在9%以上

    C

    二氧化硅含量在90%以上

    D

    二氧化硅含量在50%以上


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

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