器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。A、掩膜版B、扩散C、光刻

题目

器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。

  • A、掩膜版
  • B、扩散
  • C、光刻
相似考题

1.刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。A、二氧化硅B、氮化硅C、光刻胶D、去离子水

2.光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）

3.简述真空掩膜蒸镀技术实现红绿蓝像素并置全彩色方案的工艺流程。

4.光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）A、刻制图形B、绘制图形C、制作图形

参考答案和解析
正确答案:C
更多“器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。A、掩膜版B、扩散C、光刻”相关问题

  • 第1题：

    飞机的横向操纵是如何实现的：（）

    • A、通过操纵驾驶杆或驾驶盘控制升降舵来实现
    • B、通过操纵驾驶杆或驾驶盘控制副翼来实现
    • C、通过操纵襟翼手柄控制襟冀的收放来实现
    • D、通过操纵脚蹬控制方向舵来实现

    正确答案:B

  • 第2题：

    传统继电器接触器控制系统的控制功能必须通过修改控制器件和接线来实现。


    正确答案:正确

  • 第3题：

    cache和主存构成了（），全由（）来实现。


    正确答案:内存储器；CPU

  • 第4题：

    控制极信号能控制器件的导通，但不能控制其关断，器件的关断完全由其承受的电压和电流决定，这样的电力电子器件称为（）。

    • A、半控型器件
    • B、全控型器件
    • C、不可控器件
    • D、自关断器件

    正确答案:A

  • 第5题：

    判断题
    可编程控制系统的控制功能必须通过修改控制器件和接线来实现。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    判断题
    电子束光刻主要用于制作掩膜。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    判断题
    集成电路制造与集成电路设计相关纽带是光刻掩膜版。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    判断题
    传统继电器接触器控制系统的控制功能必须通过修改控制器件和接线来实现。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    判断题
    制备光刻掩膜版，希望黑白区域间的过渡区越大越好。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    解释亮场掩膜版和暗场掩膜版。

    正确答案： 如果一个掩膜版，其石英板上大部分被铬覆盖，它就指的是暗场掩膜版。亮场掩膜版有大面积的透明的石英，而只有很细的铬图形。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    掩膜版的对准法则，说明对准误差有哪些？

    正确答案： ①把所需图形在晶圆表面上定位或对准
    ②通过曝光灯或其他辐射源将图形转移到光刻胶涂层上
    对准原则：
    ①第一个掩膜版的对准是把掩膜版上的y轴与晶圆上的平边成90度放置；
    ②后续的掩膜版都用对准标记与上一层带有图形的掩膜对准。
    对准误差：
    ①X或Y方向的平移；
    ②转动
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散，因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1，如果对应的某存储单元位没有连接MOS管，则该位信息为（）。 

    • A、不确定
    • B、0
    • C、1
    • D、可能为0，也可能为1

    正确答案:C

  • 第14题：

    可编程控制系统的控制功能必须通过修改控制器件和接线来实现。


    正确答案:错误

  • 第15题：

    晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。

    • A、除去光刻胶中剩余的溶剂
    • B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
    • C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
    • D、有利于以后的去胶工序
    • E、减少光刻胶的缺陷

    正确答案:A,B,C,E

  • 第16题：

    判断题
    有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第17题：

    判断题
    投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    单选题
    控制极信号能控制器件的导通，但不能控制其关断，器件的关断完全由其承受的电压和电流决定，这样的电力电子器件称为（）。
    A

    半控型器件

    B

    全控型器件

    C

    不可控器件

    D

    自关断器件


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    判断题
    在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    单选题
    掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1，如果对应的某存储单元位没有连接MOS管，则该位信息为（）。
    A

    不确定

    B

    0

    C

    1

    D

    可能为0，也可能为1


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    描述投影掩膜版和光掩膜版的区别？

    正确答案： 投影掩膜版它包括了要在硅片上重复生成的图形。这种图形可能仅包含一个管芯，也可能是几个光掩膜版通常称为掩膜版，包含了对于整个硅片来说确定一工艺层所需的完整管芯阵列。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    光学光刻机的主要曝光光线的是波长为（）的g线和（）的i线，适合1微米以上特征尺寸的光刻。常用（）的KrF和（）的ArF准分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。

    正确答案： 436nm,365nm,248nm,193nm
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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