光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）

题目

光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）

相似考题

1.无论翻拍彩色或者黑白的大幅图表,都应该用( )的胶片。A、高感光度高反差B、低感光度高反差C、低感光度低反差D、高感光度低反差

2.宝视通对客户会场布置要求（）A、整体装修简单舒适B、避免色彩反差大C、忌用黑白色D、要求方形会场

3.什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？

4.刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。A、二氧化硅B、氮化硅C、光刻胶D、去离子水

参考答案和解析
正确答案:错误
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  • 第1题：

    光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）

    • A、刻制图形
    • B、绘制图形
    • C、制作图形

    正确答案:A

  • 第2题：

    光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。


    正确答案:前烘；显影；去胶

  • 第3题：

    试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。


    正确答案:在4次光刻中，第二次光刻有源岛和第三次光刻的源漏电极合为一次光刻，为4次光刻的第二次光刻，光刻次数减少，但工艺难度大大增大。
    第二次光刻的工艺流程概括为：连续沉积薄膜→涂胶→多段式调整掩膜版曝光→显影→湿法刻蚀→干法刻蚀及灰化→再湿刻和再干法刻蚀。

  • 第4题：

    在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。

    • A、刻蚀
    • B、氧化
    • C、淀积
    • D、光刻

    正确答案:D

  • 第5题：

    黑白相纸按反差性能分为（）


    正确答案:特别软性、软性、中性、硬性、特别硬性

  • 第6题：

    多选题
    下列有关蒙版（Mask）描述不正确的是（）
    A

    通过Transparency（透明）调板弹出菜单中的MakeOpacityMask（创建透明蒙版）命令可以在两个图形之间创建透明蒙版

    B

    蒙版可以遮盖图形的部分区域

    C

    只有一般路径可用来制作蒙版，复合路径不能用来制作蒙版

    D

    蒙版图形和蒙版之间的链接关系一旦建立，就不能删除


    正确答案： B,A
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    判断题
    投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    判断题
    集成电路制造与集成电路设计相关纽带是光刻掩膜版。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    使用什么材料制作投影掩膜板，投影掩膜板上形成图形的不透明材料是什么？

    正确答案： 最主要的是用于亚微米光刻的投影掩膜版衬底材料是熔融石英。不透明材料是一薄层铬。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    判断题
    制备光刻掩膜版，希望黑白区域间的过渡区越大越好。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    解释亮场掩膜版和暗场掩膜版。

    正确答案： 如果一个掩膜版，其石英板上大部分被铬覆盖，它就指的是暗场掩膜版。亮场掩膜版有大面积的透明的石英，而只有很细的铬图形。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶蒸发或溅射所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂膜的同时，把胶膜上的金属一起去除干净。（）


    正确答案:正确

  • 第14题：

    器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。

    • A、掩膜版
    • B、扩散
    • C、光刻

    正确答案:C

  • 第15题：

    下列有关蒙版（Mask）描述不正确的是（）

    • A、通过Transparency（透明）调板弹出菜单中的MakeOpacityMask（创建透明蒙版）命令可以在两个图形之间创建透明蒙版
    • B、蒙版可以遮盖图形的部分区域
    • C、只有一般路径可用来制作蒙版，复合路径不能用来制作蒙版
    • D、蒙版图形和蒙版之间的链接关系一旦建立，就不能删除

    正确答案:C,D

  • 第16题：

    反差是指最大光学密度与最小光学密度之差。胶片黑白分明称（）

    • A、高反差
    • B、低反差
    • C、中反差
    • D、黑白反差

    正确答案:A

  • 第17题：

    3号黑白相纸比1号黑白相纸反差小。


    正确答案:错误

  • 第18题：

    单选题
    反差是指最大光学密度与最小光学密度之差。胶片黑白分明称（）
    A

    高反差

    B

    低反差

    C

    中反差

    D

    黑白反差


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    判断题
    电子束光刻主要用于制作掩膜。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    判断题
    在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    无论翻拍彩色或者黑白的大幅图表，都应该用（）的胶片。
    A

    高感光度高反差

    B

    低感光度高反差

    C

    低感光度低反差

    D

    高感光度低反差


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    描述投影掩膜版和光掩膜版的区别？

    正确答案： 投影掩膜版它包括了要在硅片上重复生成的图形。这种图形可能仅包含一个管芯，也可能是几个光掩膜版通常称为掩膜版，包含了对于整个硅片来说确定一工艺层所需的完整管芯阵列。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    掩膜版的对准法则，说明对准误差有哪些？

    正确答案： ①把所需图形在晶圆表面上定位或对准
    ②通过曝光灯或其他辐射源将图形转移到光刻胶涂层上
    对准原则：
    ①第一个掩膜版的对准是把掩膜版上的y轴与晶圆上的平边成90度放置；
    ②后续的掩膜版都用对准标记与上一层带有图形的掩膜对准。
    对准误差：
    ①X或Y方向的平移；
    ②转动
    解析： 暂无解析

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