近表面下的缺陷用哪种方探测最好（）A、后乳化型渗透法B、着色渗透法C、水洗型荧光渗透法D、以上方法均不能探测近表面下的缺陷

第1题：

双晶直探头的最主要用途是（）。

• A、探测近表面缺陷
• B、精确测定缺陷长度
• C、精确测定缺陷高度
• D、用于表面缺陷检测

第2题：

检测近表面缺陷时，最好采用联合双晶探头。

第3题：

磁粉探伤方法只能探测开口于试件表面的缺陷，而不能探测近表面缺陷

第4题：

磁粉探伤方法只能检测开口于试件表面的缺陷，而不能探测近表面缺陷。（）

第5题：

双晶探头用于探测工件近表面缺陷。

第6题：

双晶探头用于探测工件（）缺陷。

• A、近表面
• B、表面
• C、内部
• D、平面形

第7题：

第8题：

第9题：

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

提高近表面缺陷的探测能力的方法是（）

• A、用TR探头
• B、使用窄脉冲宽频带探头
• C、提高探头频率，减小晶片尺寸
• D、以上都是

第14题：

提高探头频率，增大晶片尺寸可以提高近表面缺陷的探测能力

第15题：

检验近表面缺陷时，最好选用（）。

第16题：

表面波探头用于探测工件（）缺陷。

• A、近表面
• B、表面
• C、内部
• D、平面形

第17题：

探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。

第18题：

双晶片联合探头，由于盲区较小，因此有利于近表面缺陷的探测。

第19题：

第20题：

第21题：

第22题：

第23题：