在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向？A．（100）B．（111）C．（110)D．(211)
题目
在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向？
A．（100）
B．（111）
C．（110)
D．(211)
相似考题
更多“在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向？”相关问题
-
第1题：
硅片关键尺寸测量的主要工具是什么？
正确答案:硅片关键尺寸测量的主要工具是扫描电子显微镜（SEM），它能放大10万到30万倍，这明显高于光学显微镜，用扫描电子显微镜观测硅片的横截面部分能提供缺陷的信息，常与其他分析技术结合使用，如EDX或FIB。 -
第2题：
光电池的工作原理是基于光生伏特效应的，硅光电池是在N型硅片中掺入P型杂质形成一个大面积的PN结。
正确答案:正确 -
第3题：
太阳能电池分为晶硅片（）池和薄膜太阳能电池两大类。
正确答案:太阳能电 -
第4题：
将硅锭切割成硅片的过程中，多线切割对硅片造成的损伤层的厚度约为（）μm。
- A、10
- B、20
- C、5
- D、15
正确答案:A -
第5题：
浅谈薄膜太阳能电池相对与晶硅片太阳能电池的优势和劣势。
正确答案: 优势：薄膜电池发电成本比晶体硅电池要便宜很多，可以媲美传统火电价格。
劣势：与多晶硅电池板，薄膜电池的不足之处在于，单位面积内多晶硅的电转换率较高，现在在15%左右，而薄膜目前的技术仅仅只能够做到6%。也就是说，相同面积的电池板，铺设同样的面积，薄膜电池的功率仅有多晶硅电池板的40%。 -
第6题：
太阳能光伏产业链中包括多晶硅、硅片、电池片、组件及系统。
正确答案:正确 -
第7题：
问答题硅片表面吸附杂质清洗顺序是什么？正确答案： 清洗顺序：去分子－去离子－去原子－去离子水冲洗－烘干、甩干解析： 暂无解析 -
第8题：
判断题离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题硅片关键尺寸测量的主要工具是什么？正确答案： 硅片关键尺寸测量的主要工具是扫描电子显微镜（SEM），它能放大10万到30万倍，这明显高于光学显微镜，用扫描电子显微镜观测硅片的横截面部分能提供缺陷的信息，常与其他分析技术结合使用，如EDX或FIB。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题列举用于硅片制造的5种常用掺杂。正确答案： 离子注入，热扩散，硅浆料，丝网印刷，激光解析： 暂无解析 -
第11题：
填空题CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。正确答案： 全局平坦化,磨料,压力解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？正确答案： 一，将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中
二，在后续工艺中，保护下面的材料解析： 暂无解析 -
第13题：
什么是硅片的自然氧化层？由自然氧化层引起的三种问题是什么？
正确答案:自然氧化层：如果曝露于室温下的空气或含溶解氧的去离子水中，硅片的表面将被氧化。这一薄氧化层称为自然氧化层。硅片上最初的自然氧化层生长始于潮湿，当硅片表面暴露在空气中时，一秒钟内就有几十层水分子吸附在硅片上并渗透到硅表面，这引起硅表面甚至在室温下就发生氧化。
自然氧化层引起的问题是：
①将妨碍其他工艺步骤，如硅片上单晶薄膜的生长和超薄氧化层的生长。
②另一个问题在于金属导体的接触区，如果有氧化层的存在，将增加接触电阻，减少甚至可能阻止电流流过。
③对半导体性能和可靠性有很大的影响 -
第14题：
半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。
正确答案:正确 -
第15题：
气体扩散法是将含（）的气体在高温下向硅片进行扩散，形成（），一般都用这一方法。
正确答案:磷；pn结 -
第16题：
涂层扩散法是用含有磷的溶液代替（）进行（）和加热，使磷向硅片中扩散形成pn结，具有简单易于大型化生产的优点。
正确答案:气体；涂层 -
第17题：
关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是（）。
- A、扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成
- B、其硅片上沿单晶硅的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥
- C、集力敏与力电转换检测于一体
- D、根据压阻效应，将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流，再根据电流变化与压力大小的非线性关系，推算压力大小。
正确答案:D -
第18题：
判断题太阳能光伏产业链中包括多晶硅、硅片、电池片、组件及系统。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题什么是硅化物？难熔金属硅化物在硅片制造业中重要的原因是什么？正确答案： 硅化物是难熔金属与硅反应形成的金属化合物，是一种具有热稳定性的金属化合物，并且在硅/难熔金属的分界面具有低的电阻率。难熔金属硅化物的优点和其作用：
1、降低接触电阻，
2、作为金属与有源层的粘合剂。
3、高温稳定性好，抗电迁移性能好4、可直接在多晶硅上淀积难熔金属，经加温处理形成硅化物，工艺与现有硅栅工艺兼容。解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？正确答案： 整形处理，切片，磨片和倒角，刻蚀，抛光，清洗，硅片评估，包装。解析： 暂无解析 -
第21题：
填空题制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。正确答案： 硅衬底,微芯片,芯片解析： 暂无解析 -
第22题：
判断题暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第23题：
单选题关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是（）。A扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成
B其硅片上沿单晶硅的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥
C集力敏与力电转换检测于一体
D根据压阻效应，将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流，再根据电流变化与压力大小的非线性关系，推算压力大小。
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第24题：
问答题什么是硅片的自然氧化层？由自然氧化层引起的三种问题是什么？正确答案： 自然氧化层：如果曝露于室温下的空气或含溶解氧的去离子水中，硅片的表面将被氧化。这一薄氧化层称为自然氧化层。硅片上最初的自然氧化层生长始于潮湿，当硅片表面暴露在空气中时，一秒钟内就有几十层水分子吸附在硅片上并渗透到硅表面，这引起硅表面甚至在室温下就发生氧化。自然氧化层引起的问题是：
①将妨碍其他工艺步骤，如硅片上单晶薄膜的生长和超薄氧化层的生长。
②另一个问题在于金属导体的接触区，如果有氧化层的存在，将增加接触电阻，减少甚至可能阻止电流流过。
③对半导体性能和可靠性有很大的影响解析： 暂无解析