将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？
题目
将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？
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第1题：
在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装入扩散炉。
- A、耐热陶瓷器皿
- B、金属器皿
- C、石英舟
- D、玻璃器皿
正确答案:C -
第2题：
简述复凝聚法制备微囊的工艺流程及成囊的条件是什么？
正确答案: 利用两种具有相反电荷的高分子材料作囊材，将囊心物分散在囊材水溶液中，一定条件下，相反电荷的高分子材料互相交联后，溶解度降低，自溶液中凝聚析出成囊。明胶与阿拉伯胶：当PH调到4时，处于明胶等电点以下，因此明胶电荷正电，而负电胶体阿拉伯胶带有充分负电荷，而这中和形成复合物，以致胶体溶液溶解度下降，从而凝聚成囊。
成囊条件：在一定条件下，两种成囊材料带有丰富的相反电荷。 -
第3题：
压阻式压力传感器是利用单晶硅的电阻效应二构成，采用（）为弹性元件
- A、应变片
- B、压电片
- C、弹性元件
- D、单晶硅片
正确答案:D -
第4题：
绒面结构及作用；单晶硅片和多晶硅片表面制作绒面结构所用的腐蚀剂及提高绒面结构质量采用的措施。
正确答案: 绒面结构：<100>晶向的硅单晶，经腐蚀后表面会形成（在显微镜下看到）像“金字塔”形状高低不平的表面。作用：减少电池表面的光反射，大大提高对光的吸收率，最大限度提高光电转换效率。腐蚀剂：单晶硅使用NaOH水溶液或KOH水溶液；多晶硅使用HF混合液。
提高绒面结构质量采用的措施：
1.在NaOH水溶液中加入少量异丙醇。
2.用NaCO3（K2CO3）或磷酸钠液对单晶硅片进行结构处理。 -
第5题：
单晶硅锭的制备方法很多，目前国内外在生产中主要采用溶体直拉法和辉光放电法。
正确答案:错误 -
第6题：
制备膜剂的工艺流程为：成膜浆液配制→加药、匀浆（脱泡）→涂膜→干燥、灭菌→分剂量、包装。
正确答案:正确 -
第7题：
直径〉15.24cm的单晶硅片
正确答案:38180019 -
第8题：
单选题下列属于单晶硅片的一般形状（）.A方形
B三角形
C椭圆形
D梯形
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题简述复凝聚法制备微囊的工艺流程及成囊的条件是什么？正确答案： 利用两种具有相反电荷的高分子材料作囊材，将囊心物分散在囊材水溶液中，一定条件下，相反电荷的高分子材料互相交联后，溶解度降低，自溶液中凝聚析出成囊。明胶与阿拉伯胶：当PH调到4时，处于明胶等电点以下，因此明胶电荷正电，而负电胶体阿拉伯胶带有充分负电荷，而这中和形成复合物，以致胶体溶液溶解度下降，从而凝聚成囊。
成囊条件：在一定条件下，两种成囊材料带有丰富的相反电荷。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？正确答案： 整形处理，切片，磨片和倒角，刻蚀，抛光，清洗，硅片评估，包装。解析： 暂无解析 -
第11题：
单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
D单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题采用提拉法（CZ法，切克劳斯基法）和区熔法制备的硅片，哪种方法质量更高，为什么？那么目前8英寸以上的硅片，经常选择哪种方式制备，为什么？正确答案： 区熔法制备的硅片质量更高，因为含氧量低。
8英吋以上的硅片，选择CZ法制备，晶圆直径大。解析： 暂无解析 -
第13题：
叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。
正确答案: （1）使用电炉用炭将硅砂还原为冶金级硅；
（2）冶金级硅提纯为半导体级硅：西门子法和ASiMi法（硅烷法）；
（3）半导体级多晶硅原材料转变成单晶硅和多晶硅：单晶硅的制备主要有直拉单晶法（CZ法）和浮融（FZ-FloatZonE.法。铸造多晶硅有三种主要的方法有Bridgman法、铸锭法和电磁铸造法（MEC.。 -
第14题：
压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效果而构成，采用（）为弹性元件。
- A、应变片
- B、压电片
- C、弹性元件
- D、单晶硅片
正确答案:D -
第15题：
单晶硅硅片的制造过程？
正确答案: 首先将用CZ法得到的单晶硅铸模用专用切割机进行切割。目前太阳能电池用的铸模，仍以生产性能高的线形锯切割为主，然后对切割面进行研磨，使其表面平滑。由于切割面是被机械冲击过的，因此会残留结晶变形，使电气特性变坏，因此需用HF+HNO3进行腐蚀，使表面减薄10~20μm的程度。最终得到约为300μm厚的硅片。 -
第16题：
工业中单晶硅的制备方法主要有（）和区熔法（FZ法）
正确答案:直拉单晶法（CZ法或切克劳斯基法） -
第17题：
有关大面积烧伤的微粒皮／皮浆移植，以下哪些是正确的（）
- A、将切取的皮片制备成细小的微粒，可增加皮片的扩展倍数
- B、将切取的皮片制备成细小的微粒，可增加皮片的抵抗感染能力
- C、将切取的皮片制备成细小的微粒，可基本忽略皮片的方向
- D、将切取的皮片制备成细小的微粒，易于成活，故对植皮区的止血和无菌程度要求比较低
- E、对供皮区的无菌操作要求较低
正确答案:A,C -
第18题：
将硅锭切割成硅片的过程中，多线切割对硅片造成的损伤层的厚度约为（）μm。
- A、10
- B、20
- C、5
- D、15
正确答案:A -
第19题：
7.5cm≤直径≤15.24cm单晶硅片
正确答案:38180011 -
第20题：
单选题硅片制备主要工艺流程是（）A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包
D单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题将硅单晶棒制成硅片的过程包括哪些工艺？正确答案： 包括：切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。解析： 暂无解析 -
第22题：
填空题CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。正确答案： 融化了的半导体级硅液体,有正确晶向的,被掺杂成p型或n型解析： 暂无解析 -
第23题：
填空题集成电路用单晶硅的主要制备方法是（）正确答案： 提拉法和区熔法解析： 暂无解析