1、简述氧化层在制造硅芯片工艺中的应用有哪些？
题目
1、简述氧化层在制造硅芯片工艺中的应用有哪些？
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第1题：
简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？
正确答案: 1、能很好的阻挡材料扩散；
2、高电导率，低欧姆接触电阻；
3、在半导体和金属之间有很好的附着能力；
4、抗电迁能力强；
5、在很薄和高温下具有很好的稳定性；
6、抗侵蚀和抗氧化性好。
7、具有高的导电率和纯度。
8、与下层存底（通常是二氧化硅或氮化硅）具有良好的粘附性。
9、与半导体材料连接时接触电阻低。
10、能够淀积出均匀而且没有“空洞”的薄膜，易于填充通孔。
11、易于光刻和刻蚀，容易制备出精细图形。
12、很好的耐腐蚀性。
13、在处理和应用过程中具有长期的稳定性。 -
第2题：
集成电路的主要制造流程是（）
- A、硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试
- B、硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路
- C、晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路
- D、硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
正确答案:A -
第3题：
简述成组技术在产品设计、制造工艺及生产组织与管理中的应用。
正确答案: 在产品设计中实施成组技术，通过对企业中已设计、制造过的零件编码和分组，可建立起设计图纸和资料的检索系统。当设计一个新零件时，设计人员将设计零件的构思转化成相应的分类代码，然后按此代码对其所属零件族的零件设计图纸和资料进行检索，从中选择可直接采用或稍加修改便可采用的原有零件图。成组技术在制造工艺中主要应用于成组工艺过程、成组夹具以及在CAPP和数控编程中的应用。在生产组织中，采用成组单元或成组流水线，可以缩短零件的运输线路，提高生产单元或系统的柔性。在生产管理中，以零件族为基础编制生产计划和生产作业计划，可以提高生产管理的效率，提高设备和劳动力的利用率。 -
第4题：
简述CDMA使用的扩频码有哪些，并说明这些码在1x中的应用。
正确答案: CDMA使用的扩频码有Walsh码、PN码（m序列（PN短码和PN长码））；
PN短码的序列周期为215-1，插入一个全零状态后，形成的序列周期为215。不同相位在前向用于区分不同的扇区。
PN长码，由一个42位的移位寄存器产生的伪随机码和一个42位的长码掩码通过模2加输出得到的。每种信道的长码掩码是不同的，长码掩码是通过42位移位寄存器产生的，长度为242-1。42级PN长码的不同相位偏置在反向用于区分用户，在前向用于对信道进行加扰，对一个特定通话用户而言，前向和反向的偏置是一样的，偏置由相应的掩码决定。
Walsh码，利用其正交特性，在前向用于区分不同信道，在反向用于区分同一用户的不同信道。 -
第5题：
问答题画版图时所给出的工艺层与芯片制造时所需要的掩模层有什么关系？正确答案： 掩膜层是由抽象工艺层给出的版图数据经过逻辑操作（与、或、取反等）获得。解析： 暂无解析 -
第6题：
填空题常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。正确答案： 涂胶,前烘,曝光,显影,坚膜,腐蚀,去胶解析： 暂无解析 -
第7题：
问答题简述先进制造工艺发展与特点。有哪几类零件成形方法？各自有哪些工艺内容？正确答案： 先进制造工艺技术就是机械制造工艺不断变化和发展后所形成的制造工艺技术，包括了常规工艺经优化后的工艺，以及不断出现和发展的新型加工方法。其主要技术体系由先进成形加工技术、现代表面工程技术等技术构成及先进制造加工技术。
特点：加工精度不断提高；加工速度得到提高；材料科学促进制造工艺变革；重大技术装备促进加工制造技术的发展；优质清洁表面工程技术获得进一步发展；精密成形技术取得较大进展；热成形过程的计算机模拟技术研究有一定发展。从总体发展趋势看，优质、高效、低耗、灵捷、洁净是机械制造业永恒的追求目标，也是先进制造工艺技术的发展目标。
依据现代成形学的观点从物质的组织方式上，可把成形方式分为如下四类：
去除成形：它是运用分离的办法，把一部分材料（裕量材料）有序地从基体中分离出去而成形的办法。
受迫成形：它是利用材料的可成形性（如塑性等），在特定外围约束（边界约束或外力约束）下成形的方法。
堆积成形：它是运用合并与连接的办法，把材料（气、液、固相）有序地合并堆积起来的成形方法。
生成成形：是利用材料的活性进行成形的方法。解析： 暂无解析 -
第8题：
判断题硅上的自然氧化层并不是一种必需的氧化材料，在随后的工艺中要清洗去除。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第9题：
单选题集成电路的主要制造流程是（）A硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试
B硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路
C晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路
D硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
正确答案： D解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题双极型硅工艺的特点是什么？有哪些主要应用？正确答案： 高速度、高跨导、低噪声及阈值易控制低噪声高灵敏度放大器、微分电路、复接器、振荡器解析： 暂无解析 -
第11题：
判断题接触是指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题列举IC芯片制造过程中热氧化SiO2的用途？正确答案： 1、原生氧化层
2、屏蔽氧化层
3、遮蔽氧化层
4、场区和局部氧化层
5、衬垫氧化层
6、牺牲氧化层
7、栅极氧化层
8、阻挡氧化层解析： 暂无解析 -
第13题：
简述微晶硅薄膜晶体管中非晶硅薄膜上面有一层金属薄膜Mo的作用，以及工艺中需要采用的特殊技术？
正确答案:金属Mo薄膜起到光热转换的作用，使薄膜晶化为微晶硅薄膜。晶化后进行金属MO层的光刻形成源漏电极。
制作工艺流程是先进行有源岛位置处的Mo岛和Mo栅线的光刻，再溅射AlNd金属及光刻AlNd栅线。保证了金属线的低电阻率，又可以获得稳定、高结晶度的微晶硅薄膜，还能降低缺陷提高成品率。 -
第14题：
在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。
- A、晶圆顶层的保护层
- B、多层金属的介质层
- C、多晶硅与金属之间的绝缘层
- D、掺杂阻挡层
- E、晶圆片上器件之间的隔离
正确答案:B,C,E -
第15题：
多晶硅铸模的制造成技术有哪些？
正确答案: 大部分多晶硅基片都是用所谓的铸造法生产的，基片广泛使用10~15cm的角。广泛采用光电导率衰减测定法测定少数载流子在基片内的寿命分布，一般采用激光束诱导电流法评价多晶硅的粒界复合速度，也有人提议用氢处理法及吸收法定量评价粒界界面的复合速度。基片技术中最引人注目的是基片的薄形化技术。 -
第16题：
简述霉菌在食品制造中的应用。
正确答案: 霉菌在食品加工业在用途十分广泛，酿造发酵食品、食品原料的制造，如豆腐乳、酱类、酱
油、有机酸等都是在霉菌的参与下生产加工出来的；在酿造业中，霉菌常常以淀粉质为主要原料，将淀粉转化成糖；再用酵母菌和细菌来转化糖类。
霉菌的应用：淀粉的糖化；
酱类（大豆酱、面酱、豆瓣酱等）的制作；豆腐乳；豆鼓——米曲霉（黑曲霉..）
酱油的酿造；——米曲霉、（黑曲霉、黄曲霉—不产黄曲霉毒素）
有机酸（柠檬酸、苹果酸、乳酸、醋酸等的发酵生产）——黑曲霉；
大型真菌：食用菌的开发 -
第17题：
问答题简述硅热氧化过程中有哪些阶段？正确答案： 第一阶段：反应速度决定氧化速度，主要因为氧分子、水分子充足，硅原子不足。
第二阶段：扩散速度决定氧化速度，主要因为氧分子、水分子不足，硅原子充足。解析： 暂无解析 -
第18题：
问答题按加工工艺过程分类，加工制造型的类型有哪些?并简述其区别。正确答案：解析： -
第19题：
问答题简述栅氧化层生长的典型干法氧化工艺流程正确答案： 1、850度闲置状态通入吹除净化氮气。
2、通入工艺氮气充满炉管。
3、将石英或碳化硅晶圆载舟缓慢推入炉管中
4、以大约10度每分钟升温。
5、工艺氮气气流下稳定温度。
6、关闭氮气，通入氧气和氯化氢，在晶圆表面生成SO2薄膜。
7、当氧化层达到厚度时，关掉氧气和氯化氢，通入氮气，进行氧化物退火。
8、工艺氮气气流下降温。
9、工艺氮气气流下将晶舟拉出，闲置状态下吹除净化氮气。解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题简述IC芯片工艺过程中包括的刻蚀工艺过程正确答案： （1）图形化和整面全*区刻蚀。
（2）单晶硅刻蚀用于浅槽隔离。
（3）多晶硅刻蚀用于界定栅和局部互连线。
（4）氧化物刻蚀界定接触窗和金属层间接触孔。
（5）金属刻蚀形成金属互连线。
（6）氧化层CMP停止在氮化硅层后的氮化硅剥除工艺。
（7）电介质的非等向性回刻蚀形成侧壁空间层。
（8）钛金属硅化物形成合金之后的钛剥离。解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题简述硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素。正确答案： ①氧化温度；
②氧化时间；
③掺杂效应：重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速率快
④硅片晶向：<111>硅单晶的氧化速率比<100>稍快
⑤反应室的压力：压力越高氧化速率越快
⑥氧化方式：湿氧氧化比干氧氧化速度快解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题氧化层在芯片制备中有哪几方面的应用？正确答案： （1）保护器件免受划伤和隔离污染
（2）限制带电载流子场区隔离（表面钝化）
（3）栅氧或储存器单元结构中的介质材料
（4）掺杂中的注入掩蔽
（5）金属导电层间的介质层解析： 暂无解析 -
第23题：
多选题以下哪些工艺应用的原子扩散的理论（）A渗氮
B渗碳
C硅晶片掺杂
D提拉单晶硅
正确答案： C,A解析： 暂无解析 -
第24题：
问答题简述什么是硅热氧化以及氧化的工艺目的、氧化方式及其化学反应式。正确答案： 硅热氧化是氧分子或水分子在高温下与硅发生化学反应，并在硅片表面生长氧化硅的过程。
氧化的工艺目的：在硅片上生长一层二氧化硅层以保护硅片表面、器件隔离、屏蔽掺杂、形成电介质层等。
氧化方式及其化学反应式：①干氧氧化：Si＋O2→SiO2
②湿氧氧化：Si＋H2O＋O2→SiO2+H2
③水汽氧化：Si＋H2O→SiO2＋H2
硅的氧化温度：750℃～1100℃解析： 暂无解析