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  • 第1题:

    70、本征半导体有自由电子和空穴两种载流子参与导电。


    A

  • 第2题:

    下述说法中,正确的有:

    A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体(n或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电,所以, 本征半导体导电性能比杂质半导体好#B.n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电#C.n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去,大大提高了半导体导电性能#D.p型半导体的导电机制完全决定于满带中空穴的运动
    n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去,大大提高了半导体导电性能

  • 第3题:

    本征半导体中没有载流子,因而不导电


    错误

  • 第4题:

    2、以下关于本征电导描述错误的是

    A.本质电导是指导带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在

    B.本征导电的载流子电子和空穴的浓度不等

    C.本征电导的载流子不一定全部是由半导体晶格本身提供

    D.低温下,杂质半导体的本征电导起主要作用


    本征导电的载流子电子和空穴的浓度不等;本征电导的载流子不一定全部是由半导体晶格本身提供;低温下,杂质半导体的本征电导起主要作用

  • 第5题:

    下述说法中,正确的是

    A.N型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能。

    B.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(N型或P型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好。

    C.N型半导体的导电性能优于P型半导体,因为N型半导体是负电子导电,P型半导体是正离子导电。

    D.P型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动。


    在硅或锗的晶体中掺入5价元素形成N型半导体,也称为电子半导体