4、关于半导体的说法，错误的是（）。A．半导体常态下不导电， 掺杂、受热、光照增强导电能力。B．本征半导体在热激发后会出现大量自由电子和空穴对，参与导电。C．杂质半导体的导电性能取决于多数载流子。D．N型半导体的多子是自由电子。

题目

4、关于半导体的说法，错误的是（）。

A．半导体常态下不导电， 掺杂、受热、光照增强导电能力。

B．本征半导体在热激发后会出现大量自由电子和空穴对，参与导电。

C．杂质半导体的导电性能取决于多数载流子。

D．N型半导体的多子是自由电子。

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1.关于半导体测温元件说法正确的是______。A.半导体热敏电阻随温度的升高电阻值上升B.P型和N型半导体材料不能集成在一个热电偶中C.不能制作成接触型D.半导体热敏电阻比金属热敏电阻灵敏度高

2.关于半导体热敏电阻的特点,说法错误的是()。A.非线性大B.对环境温度敏感性大C.测量时不易受到干扰D.灵敏度较高

3.下列关于半导体的说法正确的是()。A、P型半导体带正电，N型半导体带负电B、稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态C、整流二极管和稳压二极管可以互换使用D、以上说法都是错误的

4.下面说法正确的是( ) 。A. 半导体光源是通过电子在能级间的跃迁而发光的;B. 半导体光源是通过电子的受激吸收跃迁而发光的;C. 半导体光源是通过外加反向偏压而发光的;D. 半导体光源是通过外加正向偏压而发光的。

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  • 第1题：

    半导体在我们的日常生活中有着广泛应用，下列关于半导体的说法正确的是：

    A.麦克斯韦首次发现了半导体现象
    B.所有半导体材料都属于金属化合物
    C.温度升高，半导体的电阻会随之变高
    D.LED灯利用半导体将电能转化为光能

    答案：D
    解析：
    第一步，本题考查生活常识。
    第二步，LED灯即半导体发光二极管，由含镓（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成，正向电流流过时导通，它可以直接把电能转化为光能。

  • 第2题：

    关于P型．N型半导体内参与电的粒子，下列说法正确的是（）

    • A、无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴
    • B、P型半导体中只有空穴导电
    • C、N型半导体中只有自由电子参与导电
    • D、在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电

    正确答案:A

  • 第3题：

    关于超导、半导体，下列说法错误的是：（）

    • A、超导技术的关键是在某一温度下，将电阻降为零
    • B、电阻为零的情况下，将没有热能的损耗
    • C、半导体的电阻会随着温度及光强的变化而变化，为此可以制成热敏电阻和光敏电阻等
    • D、铜是一种超导材料

    正确答案:D

  • 第4题：

    关于N型半导体的下列说法，错误的是：（）

    • A、自由电了是多数载流子
    • B、在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极
    • C、在纯净的硅晶体中三价元素硼，可形成N型半导体
    • D、在PNP型晶体管中，基区是N型半导体

    正确答案:C

  • 第5题：

    下列关于电子产业说法中错误的是（）

    • A、微电子技术以集成电路为核心
    • B、硅是微电子产业中常用的半导体材料
    • C、现代微电子技术已经用砷化镓取代了硅
    • D、制造集成电路都需要使用半导体材料

    正确答案:C

  • 第6题：

    对半导体而言，其正确的说法是（）

    • A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电
    • B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电
    • C、P型半导体和N型半导体本身都不带电
    • D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子

    正确答案:C

  • 第7题：

    单选题
    下列说法中错误的是（）
    A

    微电子技术以集成电路为核心

    B

    硅是微电子产业中常用的半导体材料

    C

    现代微电子技术已经用砷化镓取代了硅

    D

    制造集成电路都需要使用半导体材料


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    单选题
    关于激光胶片分类的叙述，错误的是（　　）。
    A

    有氦氖激光胶片

    B

    有半导体红激光胶片

    C

    一般可按激光波长进行分类

    D

    目前还没有激光胶片分类的系统标准

    E

    有半导体红外激光胶片


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    关于P型半导体的下列说法，错误的是（）。
    A

    空穴是多数载流子

    B

    在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

    C

    在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体

    D

    在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    关于N型半导体的下列说法，正确的是（）。
    A

    只存在一种载流子：自由电子

    B

    在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

    C

    在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体

    D

    在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    关于P、N型半导体内参与导电的介质，下列说法最为合适的是（）。
    A

    自由电子、空穴、位于晶格上的离子

    B

    无论P型还是N型半导体，自由电子、空穴都是导电介质

    C

    对于P型半导体，空穴是唯一的导电介质

    D

    对于N型半导体，空穴是唯一的导电介质


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？

    正确答案： 这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    关于直接转换型平板探测器结构的描述，错误的是（）

    • A、玻璃基板
    • B、集电矩阵
    • C、非晶硒层
    • D、半导体层
    • E、顶层电极

    正确答案:D

  • 第14题：

    关于半导体二极管错误的说法是（）。

    • A、由一个半导体加上电极引线与外壳构成
    • B、由P区引出的电极称阳极
    • C、由N区引出的电极称阴极
    • D、共有两个极

    正确答案:A

  • 第15题：

    对于P型半导体来说，下列说法正确的是：（）

    • A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的
    • B、它的载流子是空穴
    • C、它对外呈现正电
    • D、以上说法都错

    正确答案:D

  • 第16题：

    下列说法中错误的是（）

    • A、微电子技术以集成电路为核心
    • B、硅是微电子产业中常用的半导体材料
    • C、现代微电子技术已经用砷化镓取代了硅
    • D、制造集成电路都需要使用半导体材料

    正确答案:C

  • 第17题：

    对于半导体热敏电阻的特点，说法错误的是（）。

    • A、非线性大
    • B、对环境温度敏感性大
    • C、测量时不易受到干扰
    • D、灵敏度较高

    正确答案:C

  • 第18题：

    下列关于BIOS与COMS说法错误的是（）。

    • A、BIOS实际上是被固化到主板ROM芯片的一组程序
    • B、COMS是互补金属氧化物半导体的缩写
    • C、BIOS负责开机时对系统各个硬件进行初始化设置和测试
    • D、COMS系统掉电后其信息会丢失

    正确答案:D

  • 第19题：

    单选题
    关于激光胶片分类的叙述，错误的是（　　）。
    A

    有氦氖激光胶片

    B

    有半导体红激光胶片

    C

    一般可按激光波长进行分类

    D

    有激光胶片分类的系统标准

    E

    有半导体红外激光胶片


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    单选题
    关于P型．N型半导体内参与电的粒子，下列说法正确的是（）
    A

    无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴

    B

    P型半导体中只有空穴导电

    C

    N型半导体中只有自由电子参与导电

    D

    在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。
    A

    自由电了是多数载流子

    B

    在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极

    C

    在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体

    D

    在PNP型晶体管中，基区是N型半导体


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    对于P型半导体来说，下列说法正确的是：（）
    A

    在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的

    B

    它的载流子是空穴

    C

    它对外呈现正电

    D

    以上说法都错


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    关于半导体测温元件说法正确的是（）。
    A

    半导体热敏电阻随温度的升高电阻值上升

    B

    P型和N型半导体材料不能集成在一个热电偶中

    C

    不能制作成接触型

    D

    半导体热敏电阻比金属热敏电阻灵敏度高


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    下列关于电子产业说法中错误的是（）
    A

    微电子技术以集成电路为核心

    B

    硅是微电子产业中常用的半导体材料

    C

    现代微电子技术已经用砷化镓取代了硅

    D

    制造集成电路都需要使用半导体材料


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

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