本征半导体中没有载流子，因而不能导电。

第1题：

第2题：

本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。

正确答案:空穴；五价；N；电子

第3题：

N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。

正确答案:五；自由电子；空穴；正

第4题：

本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。

正确答案:N；空穴

第5题：

在本征半导体中，因为有自由电子和空穴两种载流子，所以其导电能力很强。

正确答案:错误

第6题：

在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。

正确答案:P（空穴）型；空穴；N（电子）型；电子

第7题：

P型半导体材料导电的载流子是空穴。

正确答案:正确

第8题：

杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？

正确答案:杂质半导体中的多数载流子主要是由杂质提供的，少数载流子是由本征激发产生的，由于掺杂后多数载流子与原本征激发的少数载流子的复合作用，杂质半导体中少数载流子的浓度要较本征半导体中载流子的浓度小一些。

第9题：

在绝对零度（0K）时，本征半导体中（）载流子。

• A、有
• B、没有
• C、少数
• D、多数

正确答案:B

第10题：

本征半导体与金属导电机理的最大区别在于半导体同时存在二种载流子。

正确答案:正确

第11题：

本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）

• A、电子载流子
• B、空穴载流子
• C、电子载流子和空穴载流子

正确答案:C

第12题：

第13题：

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。

• A、自由电子，空穴；扩散，飘移 
• B、空穴，自由电子；漂移，扩散 
• C、空穴，自由电子；扩散，漂移 
• D、自由电子，空穴；漂移，扩散 
• E、自由电子，空穴；扩散，扩散

正确答案:C

第14题：

为什么n型或p型半导体的本征半导体比本征半导体更易导电？

正确答案: 因为杂质能级（施主能级和受主能级）处于禁带中间，电子跃迁所需的能量较本征半导体中电子跃迁需能小，故N型或P型半导体较本征半导体更易导电。

第15题：

P型半导体的多子为（）、N型半导体的多子为（）、本征半导体的载流子为（）。

正确答案:空穴；自由电子；电子—空穴对

第16题：

本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）；若掺入微量的三价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）。

正确答案:N；电子；P；空穴

第17题：

N型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电；P型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电。

正确答案:电子；电子；电子；空穴；空穴；空穴

第18题：

半导体中有（）和（）两种载流子，在本征半导体中掺着（）阶元素，可形成P型半导体。

正确答案:自由电子；空穴；三价元素

第19题：

本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.

正确答案:少

第20题：

温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）

正确答案:增加；增加；基本不变

第21题：

半导体中有（）和（）两种载流子。本征半导体的导电能力取决于（），杂质半导体的导电能力主要取决于（）

正确答案:自由电子；空穴；环境温度或光照强度；掺杂浓度

第22题：

下列物质中载流子最多的是（）。

• A、本征半导体
• B、掺杂半导体
• C、导体
• D、绝缘体

正确答案:C

第23题：

P型半导体导电的载流子为（）。

正确答案:空穴

第24题：