电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。

题目
电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。

相似考题

1.按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( )A、耗尽型B、增强型C、P沟道D、N沟道

2.3、增强型场效应管当栅源电压为零时，存在导电沟道。

3.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。A．N沟道耗尽型B．N沟道增强型C．P沟道耗尽型D．P沟道增强型

4.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零

更多“电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。 ”相关问题

  • 第1题：

    34、MOS晶体管漏源之间能够导电的前提，是存在导电沟道。如果导电沟道夹断，则无法导电，漏源电流IDS为零。


    错误

  • 第2题：

    11、当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流

    A．P沟道耗尽型

    B．P沟道增强型

    C．N沟道耗尽型

    D．N沟道增强型


    N沟道耗尽型

  • 第3题：

    6、当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。

    A．N沟道耗尽型

    B．N沟道增强型

    C．P沟道耗尽型

    D．P沟道增强型


    N沟道耗尽型

  • 第4题：

    MOS场效应管按导电沟道可以分为n沟道器件和p沟道器件，按栅电压为零时是否形成反型层导电沟道可以分为增强型和耗尽型。


    N 沟道 增强型MOS管;P 沟道 增强型MOS管;N 沟道 耗尽型MOS管;P 沟道 耗尽型MOS管

  • 第5题：

    8、当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。

    A．N沟道耗尽型

    B．N沟道增强型

    C．P沟道耗尽型

    D．P沟道增强型


    N沟道耗尽型

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