3、增强型场效应管当栅源电压为零时，存在导电沟道。

题目

3、增强型场效应管当栅源电压为零时，存在导电沟道。

相似考题

1.增强型绝缘栅场效应管只有加一定的负栅压,才能形成导电沟道而导通。()此题为判断题(对，错)。

2.CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()此题为判断题(对，错)。

3.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零

4.在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型

更多“3、增强型场效应管当栅源电压为零时，存在导电沟道。”相关问题

  • 第1题：

    电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。


    参考答案：P沟道;N沟道;耗尽型;增强型;N沟道增强型

  • 第2题：

    增强型场效应管,工作时需要在栅源之间加正向电压()

    此题为判断题(对，错)。


    答案：错

  • 第3题：

    对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小


    正确答案:错误

  • 第4题：

    结型场效应管的类型有（）。

    • A、N沟道结型场效应管
    • B、P沟道结型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第5题：

    场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。


    正确答案:0

  • 第6题：

    耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。


    正确答案:正确

  • 第7题：

    结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。


    正确答案:正确

  • 第8题：

    使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。


    正确答案:＜；＞

  • 第9题：

    当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。


    正确答案:无；最小

  • 第10题：

    场效应管中，Idss表示栅源电压为零时的（）电流。


    正确答案:漏极

  • 第11题：

    EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。


    正确答案:错误

  • 第12题：

    单选题
    结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道电阻。
    A

    反偏电压

    B

    反向电流

    C

    正偏电压

    D

    正向电流


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    结型场效应管的类型有()。

    A.N沟道结型场效应管

    B.P沟道结型场效应管

    C.N沟道增强型MOS管

    D.P沟道增强型MOS管

    E.N沟道耗尽型MOS管

    F.P沟道耗尽型MOS管


    参考答案：AB

  • 第14题：

    N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）

    • A、正极性
    • B、负极性
    • C、零
    • D、不能确定

    正确答案:A

  • 第15题：

    绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种


    正确答案:正确

  • 第16题：

    场效应管的类型有（）。

    • A、结型场效应管
    • B、绝缘栅型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第17题：

    结型场效应管利用删源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。

    • A、反偏电压
    • B、反向电流
    • C、正偏电压
    • D、正向电流

    正确答案:A

  • 第18题：

    MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和（）两种类型。


    正确答案:耗尽型

  • 第19题：

    当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。


    正确答案:耗尽；增强

  • 第20题：

    某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）

    • A、P沟道耗尽型MOS管
    • B、N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管
    • D、N沟道增强型MOS管

    正确答案:B

  • 第21题：

    根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。


    正确答案:增强型

  • 第22题：

    场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。


    正确答案:结型；增强型

  • 第23题：

    利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。


    正确答案:正确

  • 第24题：

    单选题
    N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）
    A

    正极性

    B

    负极性

    C

    零

    D

    不能确定


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

相关内容