CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()此题为判断题(对，错)。

第1题：

P沟道增强型MOS管开启电压大于零，N沟道增强型MOS管开启电压小于零。（）

第2题：

6、MOS场效应管有增强型和耗尽型两类，每类又有N沟道和P沟道两种。

第3题：

场效应管特性曲线仿真。要求： 1.分别选择一N沟道增强型MOS管、一P沟道耗尽型MOS管，仿真其伏安特性曲线。 2.对比这两个伏安特性曲线，寻找其差别。

第4题：

MOS场效应管按导电沟道可以分为n沟道器件和p沟道器件，按栅电压为零时是否形成反型层导电沟道可以分为增强型和耗尽型。

第5题：

4、N沟道增强型MOS管的开启电压VTN ＜ 0， P沟道耗尽型MOS的开启电压VTP ＞ 0。