当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。A．N沟道耗尽型B．N沟道增强型C．P沟道耗尽型D．P沟道增强型

第1题：

第2题：

N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）

• A、正极性
• B、负极性
• C、零
• D、不能确定

正确答案:A

第3题：

场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）

正确答案:正确

第4题：

场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。

正确答案:0

第5题：

当u_GS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。

正确答案:耗尽；增强

第6题：

当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。

正确答案:无；最小

第7题：

根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。

正确答案:增强型

第8题：

N沟道JFET的跨导g_m是（）

• A、一个固定值
• B、随电源电压V_DD增加而加大
• C、随静态栅源电压V_GS增加而加大
• D、随静态栅源电压V_GS增加而减小

正确答案:C

第9题：

场效应管工作在饱和区时，其漏极电流i_D和栅源电压V_GS之间呈（）关系。

正确答案:平方

第10题：

JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。

正确答案:导电沟道；感生电荷

第11题：

利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。

正确答案:正确

第12题：

第13题：

第14题：

描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。

• A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量
• B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量
• C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量
• D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量

正确答案:B

第15题：

在MOS管保存和焊接时的注意事项是（）；

• A、在保存及焊接时，要在栅源之间保持直流通路，最好使三个电极短接。
• B、在保存及焊接时，要在栅源之间保持直流通路，最好使栅源两极短接。
• C、在保存及焊接时，要在栅漏之间保持直流通路，最好使栅漏两极短接。

正确答案:A

第16题：

结型场效应管利用删源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。

• A、反偏电压
• B、反向电流
• C、正偏电压
• D、正向电流

正确答案:A

第17题：

使结型场效应管I_D=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的U_GS（off）（）0，P沟道JFET的U_GS（off）（）0。

正确答案:＜；＞

第18题：

场效应管是通过（）改变漏极电流的。

• A、栅极电流
• B、栅源电压
• C、漏源电压

正确答案:B

第19题：

场效应管中，Idss表示栅源电压为零时的（）电流。

正确答案:漏极

第20题：

场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。

正确答案:结型；增强型

第21题：

结型场效应管的栅、源极之间应加（）电压。

正确答案:反向

第22题：

EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。

正确答案:错误

第23题：

第24题：