23、非对称IGBT就是指版图结构不对称的IGBT。

第1题：

第2题：

双馈风机变频器并网前必须完成的项目不包括（）。

• A、直流预充电
• B、转矩加载
• C、网侧IGBT调制
• D、转子侧IGBT调制

正确答案:B

第3题：

GBT与场管的区别，正确的有（）

• A、场管比IGBT频率高
• B、IGBT比场管导通压降低
• C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大
• D、IGBT的开关损耗比场管大
• E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路

正确答案:A,B,C,D,E

第4题：

IGBT及其变频器有哪些主要优点？

正确答案: 由于IGBT把GTR和功率场效应管的特点结合起来了，从而兼备了两者的优点：
（1）具有较强的对电压和电流的承受能力（和GTR一样）
（2）输入阻抗高，故驱动电路的功率小，可由IC（集成电路）直接驱动（和功率场效应管一样）。
（3）最高工作频率（变频器的载波频率）介于GTR和功率场效应管之间，达15－20kHz。
（4）安全工作区较宽。

第5题：

（）简称IGBT。

正确答案:绝缘栅双极晶体管

第6题：

不属于IGBT管特点的是（）

• A、IGBT管为混合器件
• B、驱动功率容量小
• C、电流等级为10A—400A
• D、IGBT管是一种电流型器件

正确答案:D

第7题：

为防止IGBT的误导通，通常在正向驱动脉冲以外的时刻对IGBT的栅极施加关断负偏压，例如电车直流机组用的IGBT所选择的负偏压数值为-24V。

正确答案:错误

第8题：

IGBT是指（）。

正确答案:绝缘栅双极型晶体管

第9题：

说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。

正确答案:绝缘栅双极晶体管IGBT：
（1）优点：开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小。
（2）缺点：开关速度低于电力效应晶体管、电压、电流容量不及GTO。
电力晶体管GTR：
（1）优点：开关特性好、饱和压降低、通流能力强、耐压高。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、存在二次击穿问题。
门极可关断晶闸管GTO：
（1）优点：通流能力强、电流、电压容量大、具有电导调制效应。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、开关频率低。
电力场效应管MOSFET：
（1）优点：开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单、热稳定性好。
（2）缺点：电流容量小、耐压低。

第10题：

IGBT有哪些突出优点？

正确答案:IGBT将MOSFET与GTR的优点集于一身，既有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动型，又具有通态压降低、高电压、大电流的优点。

第11题：

第12题：

第13题：

变流器IGBT故障的触发条件是主控发出变流启动信号，变流器IGBT OK信号丢失持续（）ms，报此故障.

正确答案:100

第14题：

双馈风机变频器并网前必须完成的项目包括（）

• A、直流预充电
• B、转矩加载
• C、网侧IGBT调制
• D、转子侧IGBT调制

正确答案:A,C,D

第15题：

说明IGBT的结构组成特点。

正确答案:IGBT是一种新型复合器件。输入部分为MOSFET，输出部分为GTR，它综合了MOSFET和GTR的优点，具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点。

第16题：

IGBT驱动电路大多采用集成式电路。

正确答案:正确

第17题：

IGBT与场管的区别，正确的有（）

• A、场管比IGBT频率高
• B、IGBT比场管导通压降低
• C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大
• D、IGBT的开关损耗比场管大
• E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路

正确答案:A,B,C,D,E

第18题：

IGBT的驱动由（）来控制开通和关断。

正确答案:栅极电压

第19题：

IGBT的主体部分与GTR类似，控制部分与场效应管类似，下面属于IGBT具有的优点的有（）

• A、电磁噪音很小
• B、电流波形大为改善，电机的转矩增大
• C、IGBT管二次击穿现象小
• D、最大管子容量比GTO管大的多

正确答案:A,B,C

第20题：

IGBT

正确答案: 绝缘栅双极晶体管，是一种常用电力半导体器件。

第21题：

简述更换IGBT直流母排的注意事项

正确答案:保证装配各部件之间没有强制受力，绝缘片的安装要小心谨慎，避免与硬物碰撞损坏，母排上M5的螺栓使用3.6N的力矩紧固.

第22题：

IGBT的开关频率是多少？

正确答案:IGBT的开关频率一般为18到20kHz。

第23题：

第24题：