SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE

题目
SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。

A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBT

B.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBT

C.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFE

D.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE

相似考题

1.高频开关电源中,常的电力电子器件为()。A.GTRB.MOSFETC.IGBTD.GTO

2.3、3.对晶闸管触发电路有哪些基本要求？IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？

3.1、变流系统中的电力电子器件都经历过从（)的发生过程。A．半控型晶闸管(SCR)、全控型晶闸管(GTO)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)B．全控型晶体管(GTO)、半控型晶闸管(SCR)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)C．半控型晶闸管(SCR)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及全控型晶体管(GTO)D．绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、全控型晶体管(GTO)及半控型晶闸管(SCR)

4.79、IGBT在当代电力电子领域中应用非常广泛，它是集中了以下哪两种器件的优点所构成的复合器件？A．GTR、GTOB．SCR、MOSFETC．GTR、MOSFETD．SCR、GTO

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  • 第1题：

    晶闸管、GTO、GTR是单极型器件；电力MOSFET是双极型器件；IGBT、MCT、IGCT是复合型器件。


    正确

  • 第2题：

    4、IGBT是 和P-MOSFET的复合管，在变频器主电路中用于 模块。

    A．GTO，整流

    B．GTR，逆变

    C．GTO，逆变

    D．GTR，整流

    E．SCR，整流

    F．SCR，逆变


    GTR，逆变

  • 第3题：

    127、以下哪些电力电子器件属于新型的全控型器件？

    A．电力晶体管（GTR）

    B．可关断晶闸管（GTO）

    C．功率场效应晶体管（功率MOSFET）

    D．绝缘栅极双级晶体管（IGBT）


    D

  • 第4题：

    IGBT在当代电力电子领域中应用非常广泛，它是集中了以下哪两种器件的优点所构成的复合器件？

    A．GTR、GTO

    B．SCR、MOSFET

    C．GTR、MOSFET

    D．GTO


    GTR、MOSFET

  • 第5题：

    变流系统中的电力电子器件都经历过从（)的发生过程。

    A．半控型晶闸管(SCR)、全控型晶闸管(GTO)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)

    B．全控型晶体管(GTO)、半控型晶闸管(SCR)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)

    C．半控型晶闸管(SCR)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及全控型晶体管(GTO)

    D．全控型晶体管(GTO)及半控型晶闸管(SCR)


    C

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