3、3.对晶闸管触发电路有哪些基本要求？IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？

题目

3、3.对晶闸管触发电路有哪些基本要求？IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？

相似考题

1.SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE

2.IGBT是一个复合型的器件,它是( )A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTR&"160;C.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO

3.IGBT是ー个复合型的器件,它是()。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0

4.IGBT有哪些缺点?( )A、开关速度不及电力MOSFETB、开关速度比电力MOSFET快C、电压、电流容量不及GTOD、电压、电流容量比GTO大

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  • 第1题：

    可关断晶闸管的英语缩写是（）。

    • A、“IGBT”
    • B、“BJT”
    • C、“GTO”
    • D、“MOSFET”

    正确答案:C

  • 第2题：

    晶闸管对触发电路有哪些基本要求？


    正确答案: 晶闸管对触发电路的要求有：（1）触发电压必须与晶闸管的阳极电压同步；
    （2）触发电压应满足主电路移相范围的要求；
    （3）触发电压的前沿要陡，宽度要满足一定的要求；
    （4）具有一定的抗干扰能力；（5）触发信号应有足够大的电压和功率。

  • 第3题：

    IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？


    正确答案: IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
    GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
    GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
    电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。

  • 第4题：

    在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。


    正确答案:MOSFET；GTO；IGBT

  • 第5题：

    简述GTO晶闸管对门极驱动电路的要求。


    正确答案:（1）门极开通电路
    要求门极开通信号有足够的幅值和上升沿，以实现强触发，减小开通时间和开通损耗。要求门极开通脉冲由高幅值短脉冲和低幅值长脉冲组成，以保证在导通期间连续提供门极电流。
    （2）门极关断电路
    门极关断电路的电压值要足够大，关断电流上升率有一定的要求，关断脉冲的宽度应大于关断时间与尾部时间之和。
    （3）门极反偏电路
    为了防止du/dt过大引起误触发，要设置反偏电路。

  • 第6题：

    简述IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求。


    正确答案:（1）门极电压最高绝对值小于20V
    （2）门极阈值电压为2.5~5V
    （3）用小内阻的驱动源，以保证U（GE）有足够陡的前沿
    （4）驱动正电平的选择：U（GE）越高，通态与开关损耗越小，但短路电流越大，一般取12~15V
    （5）关断过程中为了加快关断速度，一般取U（GE）为－5~－10V
    （6）门极电阻对开关速度影响很大，门极电阻越大，开关损耗越大，门极电阻越小，关断尖峰电压越高（应取合适值）
    （7）控制电路与驱动电路应隔离
    （8）简单实用，有保护，抗干扰强

  • 第7题：

    在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。


    正确答案:SCR；GTO、GTR、MOSFET、IGBT；SCR、GTO、GTR

  • 第8题：

    问答题
    IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？

    正确答案： IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，ⅠGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
    GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
    GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
    电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    简述IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求。

    正确答案： （1）门极电压最高绝对值小于20V
    （2）门极阈值电压为2.5~5V
    （3）用小内阻的驱动源，以保证U（GE）有足够陡的前沿
    （4）驱动正电平的选择：U（GE）越高，通态与开关损耗越小，但短路电流越大，一般取12~15V
    （5）关断过程中为了加快关断速度，一般取U（GE）为－5~－10V
    （6）门极电阻对开关速度影响很大，门极电阻越大，开关损耗越大，门极电阻越小，关断尖峰电压越高（应取合适值）
    （7）控制电路与驱动电路应隔离
    （8）简单实用，有保护，抗干扰强
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    填空题
    电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

    正确答案： GTO
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。
    A

    GTO和GTR；

    B

    TRIAC和IGBT；

    C

    MOSFET和IGBT；

    D

    SCR和MOSFET；


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

    正确答案： 门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大，与普通晶闸管接近，在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
    电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管，开关特性好，在中、小功率范围内广泛使用。
    场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但电流容量小，耐压低，一般用于功率不超过10kw的系统。
    绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场，成为中小功率系统的主导器件，并正在提高电压、电流容量，将取代GTO的地位。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等


    正确答案:场效应

  • 第14题：

    UPS常用的电力电子器件有：（）

    • A、GTR；
    • B、MOSFET；
    • C、IGBT；
    • D、SCR

    正确答案:B,C,D

  • 第15题：

    说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。


    正确答案:绝缘栅双极晶体管IGBT：
    （1）优点：开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小。
    （2）缺点：开关速度低于电力效应晶体管、电压、电流容量不及GTO。
    电力晶体管GTR：
    （1）优点：开关特性好、饱和压降低、通流能力强、耐压高。
    （2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、存在二次击穿问题。
    门极可关断晶闸管GTO：
    （1）优点：通流能力强、电流、电压容量大、具有电导调制效应。
    （2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、开关频率低。
    电力场效应管MOSFET：
    （1）优点：开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单、热稳定性好。
    （2）缺点：电流容量小、耐压低。

  • 第16题：

    IGBT是一个复合型的器件，它是（）。

    • A、GTR驱动的MOSFET
    • B、MOSFET驱动的GTR
    • C、MOSFET驱动的晶闸管
    • D、MOSFET驱动的GTO

    正确答案:B

  • 第17题：

    在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。


    正确答案:电力二极管；晶闸管；GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT；电力MOSFET；电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；IGBT；晶闸管；电力MOSFET；电力MOSFET、IGBT；晶闸管、GTO、GTR

  • 第18题：

    简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。


    正确答案:门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大，与普通晶闸管接近，在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
    电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管，开关特性好，在中、小功率范围内广泛使用。
    场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但电流容量小，耐压低，一般用于功率不超过10kw的系统。
    绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场，成为中小功率系统的主导器件，并正在提高电压、电流容量，将取代GTO的地位。

  • 第19题：

    问答题
    对晶闸管触发电路有哪些基本要求？

    正确答案： 晶闸管触发电路应满足下列要求：
    1、触发脉冲的宽度应保证晶闸管的可靠导通；
    2、触发脉冲应有足够的幅度，对户外寒冷场合，脉冲电流的幅度应增大为器件最大触发电流的3-5倍，脉冲前沿的陡度也需增加，一般需达到1-2A/US。
    3、所提供的触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额，且在门极伏安特性的可靠出发区域之内。
    4、应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    填空题
    在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。

    正确答案： MOSFET,GTO,IGBT
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    可关断晶闸管的英语缩写是（）。
    A

    “IGBT”

    B

    “BJT”

    C

    “GTO”

    D

    “MOSFET”


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。

    正确答案： 绝缘栅双极晶体管IGBT：
    （1）优点：开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小。
    （2）缺点：开关速度低于电力效应晶体管、电压、电流容量不及GTO。
    电力晶体管GTR：
    （1）优点：开关特性好、饱和压降低、通流能力强、耐压高。
    （2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、存在二次击穿问题。
    门极可关断晶闸管GTO：
    （1）优点：通流能力强、电流、电压容量大、具有电导调制效应。
    （2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、开关频率低。
    电力场效应管MOSFET：
    （1）优点：开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单、热稳定性好。
    （2）缺点：电流容量小、耐压低。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

    正确答案： Power MOSFET为单极性器件，没有少数载流子存贮效应，反向恢复时间很短。
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。

    正确答案： SCR,GTO、GTR、MOSFET、IGBT,SCR、GTO、GTR
    解析： 暂无解析

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