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第1题：
16、关于IGBT，下面（）正确。
A．IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管；
B．IGBT存在电导调制效应；
C．IGBT的开关速度较功率MOSFET快；
D．IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件
BC -
第2题：
3、3.对晶闸管触发电路有哪些基本要求？IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
晶闸管对触发电路的要求有：（1）触发电压必须与晶闸管的阳极电压同步； （2）触发电压应满足主电路移相范围的要求； （3）触发电压的前沿要陡，宽度要满足一定的要求； （4）具有一定的抗干扰能力；（5）触发信号应有足够大的电压和功率。 -
第3题：
IGBT的特点说法不正确的是（）
A．IGBT的研制成功为斩波器，逆变器，变频器的高效化 提供了有利条件
B．IGBT目前没有抗短路能力
C．IGBT是电压型驱动器件
D．IGBT的设计中需要提供过电压保护
B -
第4题：
30、下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有
A．IGBT开关速度高于电力MOSFET
B．IGBT是电压驱动型器件
C．电力MOSFET存在二次击穿问题
D．IGBT具有擎住效应
AD -
第5题：
下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 。
A．IGBT是电压驱动型器件
B．IGBT具有擎住效应
C．IGBT开关速度高于电力MOSFET
D．电力MOSFET存在二次击穿问题
IGBT具有擎住效应;IGBT是电压驱动型器件