一般把增强型MOSFET在漏源电压作用下开始导电时的栅源电压称为（）。A．开启电压B．夹断电压C．截止电压D．击穿电压

题目

一般把增强型MOSFET在漏源电压作用下开始导电时的栅源电压称为（）。

A．开启电压

B．夹断电压

C．截止电压

D．击穿电压

相似考题

1.场效应管的工作原理是()A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

2.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取( )V。A、0-5B、5-10C、10-15D、15-20

3.场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压

4.某场效晶体管,在漏、源电压保持不变的情况下,栅、源电压变化为2V时,相应的漏极电流变化为4mA,该管的跨导是()。A、0.5mA/VB、1mA/VC、2mA/V

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  • 第1题：

    一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。

    A、0

    B、1

    C、5

    D、10


    参考答案：D

  • 第2题：

    增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

    A、不能形成导电沟道

    B、漏极电压为零

    C、能够形成导电沟道

    D、漏极电流不为零


    参考答案：A

  • 第3题：

    场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。

    A、栅极电流

    B、栅源电压

    C、源极电压

    D、源极电流


    参考答案：B

  • 第4题：

    N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）

    • A、正极性
    • B、负极性
    • C、零
    • D、不能确定

    正确答案:A

  • 第5题：

    使用功率MOSFET时要注意（）。

    • A、防止静电击穿
    • B、防止二次击穿
    • C、MOSFET不能承受反压
    • D、栅源过电压保护

    正确答案:A,C,D

  • 第6题：

    功率MOSFET对驱动电路的要求是（）。

    • A、驱动信号的前后沿陡峭
    • B、驱动信号的电压应高于开启电压
    • C、信号电压应低于栅源击穿电压
    • D、截止时应加小于栅源击穿电压的电压

    正确答案:A,B,C,D

  • 第7题：

    当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。


    正确答案:无；最小

  • 第8题：

    根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。


    正确答案:增强型

  • 第9题：

    场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。


    正确答案:平方

  • 第10题：

    EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。


    正确答案:错误

  • 第11题：

    判断题
    功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    多选题
    功率MOSFET的极限参数指的是（）。
    A

    最大漏极电流

    B

    最小漏极电流

    C

    最大许用漏-源电压

    D

    最小许用漏-源电压


    正确答案： A,B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    功率MOSFET的极限参数指的是( )。

    A、最大漏极电流

    B、最小漏极电流

    C、最大许用漏-源电压

    D、最小许用漏-源电压


    正确答案:A,C

  • 第14题：

    电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。


    参考答案：P沟道;N沟道;耗尽型;增强型;N沟道增强型

  • 第15题：

    增强型场效应管,工作时需要在栅源之间加正向电压()

    此题为判断题(对，错)。


    答案：错

  • 第16题：

    功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。


    正确答案:错误

  • 第17题：

    场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。


    正确答案:0

  • 第18题：

    当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。


    正确答案:耗尽；增强

  • 第19题：

    场效应管是通过（）改变漏极电流的。

    • A、栅极电流
    • B、栅源电压
    • C、漏源电压

    正确答案:B

  • 第20题：

    场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。


    正确答案:结型；增强型

  • 第21题：

    JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。


    正确答案:导电沟道；感生电荷

  • 第22题：

    利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。


    正确答案:正确

  • 第23题：

    单选题
    场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）
    A

    栅极电流

    B

    栅源电压

    C

    漏源电压

    D

    栅漏电压


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）
    A

    正极性

    B

    负极性

    C

    零

    D

    不能确定


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

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