某场效晶体管,在漏、源电压保持不变的情况下,栅、源电压变化为2V时,相应的漏极电流变化为4mA,该管的跨导是()。A、0.5mA/VB、1mA/VC、2mA/V

题目
某场效晶体管,在漏、源电压保持不变的情况下,栅、源电压变化为2V时,相应的漏极电流变化为4mA,该管的跨导是()。

A、0.5mA/V

B、1mA/V

C、2mA/V

相似考题

1.场效应管的工作原理是()A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

2.一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。A、0B、1C、5D、10

3.当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将( )。A.增大B.不变C.减小

4.场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压

参考答案和解析
参考答案：C
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  • 第1题：

    功率MOSFET的极限参数指的是( )。

    A、最大漏极电流

    B、最小漏极电流

    C、最大许用漏-源电压

    D、最小许用漏-源电压


    正确答案:A,C

  • 第2题：

    场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。

    A、栅极电流

    B、栅源电压

    C、源极电压

    D、源极电流


    参考答案：B

  • 第3题：

    描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。

    • A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量
    • B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量
    • C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量
    • D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量

    正确答案:B

  • 第4题：

    一电压源的串联内阻为5Ω，当电压是（）时，可把它等效变换成电流为5A的电流源

    • A、12.5V
    • B、10V
    • C、20V
    • D、25V

    正确答案:D

  • 第5题：

    功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。


    正确答案:错误

  • 第6题：

    晶体二极管处于导通状态时，其伏安特性（）。

    • A、电压微变，电流微变
    • B、电压微变，电流剧变
    • C、电压剧变，电流微变
    • D、电压不变，电流剧变

    正确答案:B

  • 第7题：

    场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。


    正确答案:0

  • 第8题：

    场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。


    正确答案:平方

  • 第9题：

    当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。

    • A、增大 
    • B、不变
    • C、减小

    正确答案:B

  • 第10题：

    当场效应晶体管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）

    • A、增大
    • B、不变
    • C、减小
    • D、无法确定

    正确答案:A

  • 第11题：

    单选题
    场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）
    A

    栅极电流

    B

    栅源电压

    C

    漏源电压

    D

    栅漏电压


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

    A、不能形成导电沟道

    B、漏极电压为零

    C、能够形成导电沟道

    D、漏极电流不为零


    参考答案：A

  • 第14题：

    当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()

    A.增大

    B.不变

    C.减小

    D.不确定


    答案：A

  • 第15题：

    一个内阻为0.5Ω的电压源，其开路电压为15V。则当负载电流为4A时，负载电压为（）

    • A、15V
    • B、13V
    • C、17V
    • D、2V

    正确答案:B

  • 第16题：

    单个酸性蓄电池的电压正常情况下应保持在（），当电压下降到（）时，需充电。

    • A、2.1V；1.9V
    • B、1.2V；1V
    • C、2V；1.8V
    • D、1V；0.8V

    正确答案:C

  • 第17题：

    源电动势为2V，内电阻是0.1Ω，当外电路断路时，电路中的电流和端电压分别为（）

    • A、0、2V
    • B、B、202V
    • C、C、200
    • D、0、0

    正确答案:A

  • 第18题：

    与一电流源并联内阻为2Ω，电流源的电流是5A，可把它等效变换成（）的电压源

    • A、5V
    • B、0.4V
    • C、10V
    • D、2.5V

    正确答案:C

  • 第19题：

    场效应管是通过（）改变漏极电流的。

    • A、栅极电流
    • B、栅源电压
    • C、漏源电压

    正确答案:B

  • 第20题：

    JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。


    正确答案:导电沟道；感生电荷

  • 第21题：

    场效应晶体管的主要参数有（）

    • A、开启电压
    • B、低频跨导
    • C、漏源击穿电压
    • D、最大耗散功率
    • E、最大漏极电流

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第22题：

    利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。


    正确答案:正确

  • 第23题：

    多选题
    功率MOSFET的极限参数指的是（）。
    A

    最大漏极电流

    B

    最小漏极电流

    C

    最大许用漏-源电压

    D

    最小许用漏-源电压


    正确答案： A,B
    解析： 暂无解析

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