使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取( )V。A、0-5B、5-10C、10-15D、15-20

第1题：

5、电力MOSFET导通的条件是（）且（）。

第2题：

使MOSFET开通的驱动电压一般为 V，使IGBT开通的驱动电压一般为 V。关断时施加一定幅值的负驱动电压以利于减小 和关断损耗。

第3题：

6、下面关于MOSFET的跨导gm，说法错误的是________。

A．MOSFET跨导是静态参数

B．表征了MOSFET的放大能力

C．表示MOSFET将栅源电压转换为漏极电流的能力

D．随MOSFET工作点变化而变化

第4题：

通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断控制的器件分为电压驱动型和电流驱动型两种，那么下列器件哪个器件是电压驱动型器件

A．电力场效应管（P-MOSFET）

B．门极可关断晶阐管（GTO）

C．电力晶体管（GTR）

D．晶阐管(SCR)

第5题：

电力MOSFET导通的条件是（）且（）。